[发明专利]一种多晶硅氢化炉

权利要求书

1.一种多晶硅氢化炉，包括炉体(35)、视镜(7)、底盘(36)、底座(15)、电极(16)、发热体(18)、石墨结头(37)、进出管(34)、总进水口(33)、容器法兰(12)、出水口(1)、密封垫(31)和螺栓(32)，其中视镜(7)位于炉体(35)中部，炉体(35)和底盘(36)之间垫有密封垫(31)；底盘(36)上开有电极孔(43)和进出气孔(44)，炉体(35)通过容器法兰(12)与底座(15)夹持底盘(36)，用螺栓(32)固定连接；电极(16)穿过底盘(36)与石墨接头(37)固定连接，石墨结头(37)与发热体(18)固定连接；其特征在于还包括单层隔热装置(11)、进出气套管(5)、底部进出管(34)和安全阀接口(2)；其中底盘(36)和炉体(35)均为水冷式结构，炉体(35)上的内筒筒体(9)、内筒封头(4)、夹套筒体(10)、夹套封头(3)和容器法兰(12)之间形成有炉体冷却腔(8)，炉体冷却腔(8)内部设置螺旋型导流板(6)；底盘(36)由上底板(30)和下底板(27)通过连接体(29)组焊而成，上底板(30)、下底板(27)、连接体(29)之间为底盘冷却水腔(28)；在容器法兰(12)密封面上部设置有垫片冷却腔(14)，炉体冷却腔(8)的总进水口(33)设置在炉体(35)下部，内筒筒体(9)顶部中心连接有安全阀接口(2)，出水口(1)设置在与内筒封头(4)连通的安全阀接口(2)的夹层上；单层隔热装置(11)置于炉体内部，放置于底盘(36)之上，其底部与底盘(36)的电极孔(43)处对应开孔；发热体(18)均匀分布在单层隔热装置(11)的内腔内，进出气套管(5)穿过进出管(34)和单层隔热装置(11)底部深入到单层隔热装置(11)内部，进出气套管(5)、单层隔热装置(11)、进出管(34)和炉体(35)同轴心。

2.如权利要求1所述的一种多晶硅氢化炉，其特征在于单层隔热装置(11)所用材料为耐高温材料，其底部上均匀分布着两圈电极孔，中心开有进出气孔，顶部开有6～10个均匀分布的孔。

3.如权利要求1所述的一种多晶硅氢化炉，其特征在于所述进出气套管(5)包括上段套管(40)、下段套管(41)、气体分散器(17)和隔热套管(42)，其中下段套管(41)为径向带有两圈孔的空心式结构，其外圈为一圈均匀分布的出气孔，内圈为一圈均匀分布的进气孔；下段套管(41)底部末端连接进气口(24)，进气口(24)与进气孔连通；下段套管(41)在靠近底部处开有缺口，缺口与下段套管(41)的出气孔联通，并与出气口(23)连通；上段套管(40)为单圈空心结构，径向上均匀分布一圈进气孔，且上段套管(40)的进气孔位置与下段套管(41)的进气孔位置相对应；在下段套管(41)穿外套有隔热套管(42)，在上段套管(40)顶部连接有气体分散器(17)。

4.如权利要求3所述的一种多晶硅氢化炉，其特征在于所述的出气孔为15～25个，进气孔为5～15个。

5.如权利要求4所述的一种多晶硅氢化炉，其特征在于所述的出气孔为18个φ18mm的孔，进气孔为9个φ31mm的孔。

6.如权利要求1所述的一种多晶硅氢化炉，其特征在于所述的进出气套管(5)由石墨加工而成。

7.如权利要求3所述的一种多晶硅氢化炉，其特征在于所述的下段套管(41)和隔热套管(42)设置于底部进出管(34)内，底部进出管(34)由夹套管(19)和内管(21)组成，内管(21)紧贴隔热套管(42)，夹套管(19)和内管(21)之间为夹套空腔(20)，夹套空腔(20)底部一侧接底部冷却水进口(25)，另一侧接出气口(23)，在出气口(23)外套有出气管冷却水进口(22)。

8.如权利要求1所述的一种多晶硅氢化炉，其特征在于所述电极(16)有12对，即24个电极，在底盘(36)和隔热屏下部(11)上分2圈均匀布置，8对电极设置在外圆周上，4对电极设置在内圆周上。

9.如权利要求7所述的一种多晶硅氢化炉，其特征在于电极(16)与石墨结头(37)的端部采用螺纹形式固定连接，石墨结头(37)与发热体(180)之间采用螺栓连结。

10.如权利要求8所述的一种多晶硅氢化炉，其特征在于所用电极(16)为硅芯电极，下端连接2000V电压。