[发明专利]开漏总线的边沿速率抑制无效

专利信息
申请号: 201010575758.X 申请日: 2010-12-02
公开(公告)号: CN102087638A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 阿尔玛·S·安德森 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吕雁葭
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 总线 边沿 速率 抑制
【权利要求书】:

1.一种与开漏总线一起操作的边沿速率抑制电路,该电路包括:

可变电阻电路,具有用于接收可变电压信号的输入和与开漏总线耦合的输出;以及

控制电路,被配置为通过以下方式操作可变电阻电路:

响应于可变电压信号经历从高电压电平到低电压电平的转变,将可变电阻电路从高电阻状态切换到低电阻状态;以及

响应于电压信号经历从低电压电平到高电压电平的转变,将可变电阻电路从低电阻状态切换到高电阻状态。

2.根据权利要求1所述的电路,其中

可变电阻电路包括低电阻电路路径和高电阻电路路径,以及

控制电路被配置为通过激活低电阻电路路径,将可变电阻电路从高电阻状态切换到低电阻状态,并通过激活高电阻电路路径,将可变电阻电路从低电阻状态切换到高电阻状态。

3.根据权利要求1所述的电路,其中

可变电阻电路包括双通道电平移位器电路,每个通道包括低电阻电路路径和高电阻电路路径,并且每个通道分别与总线上的双向通道之一耦合,以及

控制电路被配置为通过激活低电阻电路路径中的至少一个,将可变电阻电路从高电阻状态切换到低电阻状态,并通过禁用低电阻电路路径中的至少一个,将可变电阻电路从低电阻状态切换到高电阻状态。

4.根据权利要求1所述的电路,其中

可变电阻电路包括:

低电阻电路,具有晶体管,所述晶体管在低电阻状态下对用于传递信号的端子进行耦合;以及

高电阻电路,具有晶体管和电阻器,所述晶体管被配置为在高电阻状态下经由电阻器对用于传递信号的端子进行耦合,以及控制电路被配置为

通过使低电阻电路中的晶体管导通,以经由低电阻电路中的晶体管对端子进行耦合,将可变电阻电路从高电阻状态切换到低电阻状态,以及

通过断开低电阻电路中的晶体管,将可变电阻电路从低电阻状态切换到高电阻状态。

5.根据权利要求1所述的电路,其中

可变电阻电路包括

低电阻电路,具有晶体管,所述晶体管在低电阻状态下对用于传递信号的端子进行耦合;以及

高电阻电路,具有晶体管和电阻器,所述晶体管被配置为在高电阻状态下经由电阻器对用于传递信号的端子进行耦合,以及控制电路包括倒相电路,被配置为

通过响应于低输入电压,将低电阻电路中的晶体管的栅极拉到电路的检测到的参考电压加上阈值电压的电压电平,以操作晶体管,将可变电阻电路从高电阻状态切换到低电阻状态,

通过响应于高输入电压,将低电阻电路中的晶体管的栅极拉到地电势,将可变电阻电路从低电阻状态切换到高电阻状态。

6.根据权利要求1所述的电路,其中

可变电阻电路包括:

低电阻电路,具有晶体管,所述晶体管在低电阻状态下对用于传递信号的端子进行耦合;以及

高电阻电路,具有晶体管和电阻器,所述晶体管被配置为在高电阻状态下经由电阻器对用于传递信号的端子进行耦合,以及控制电路被配置为

通过对低电阻电路中的晶体管的栅极施加渐进的偏置,以缓慢地使晶体管导通,将可变电阻电路从高电阻状态切换到低电阻状态,以及

通过断开低电阻电路中的晶体管以实现低馈通电流,将可变电阻电路从低电阻状态切换到高电阻状态。

7.根据权利要求1所述的电路,其中

可变电阻电路包括

低电阻电路,具有晶体管,所述晶体管在低电阻状态下对用于传递信号的端子进行耦合;以及

高电阻电路,具有晶体管和电阻器,所述晶体管被配置为在高电阻状态下经由电阻器对用于传递信号的端子进行耦合,以及控制电路被配置为

通过使低电阻电路中的晶体管导通,以经由低电阻电路中的晶体管对端子进行耦合,将可变电阻电路从高电阻状态切换到低电阻状态,

通过在比总线上传递的高电压信号和低电压信号之间的转变时间段短的时间段内断开低电阻电路中的晶体管,将可变电阻电路从低电阻状态切换到高电阻状态。

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