[发明专利]基板载置台及其制造方法和基板处理装置有效
申请号: | 201010576264.3 | 申请日: | 2010-12-01 |
公开(公告)号: | CN102157423A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 南雅人;奥山幸一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00;H01J37/32;C23C16/458 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板载置台 及其 制造 方法 处理 装置 | ||
1.一种基板载置台,其特征在于,包括:
基材;和
覆盖该基材的绝缘膜,
通过所述绝缘膜形成载置基板的基板载置面,并且在该基板载置面具有表面粗糙度Ra为2μm以上6μm以下的粗化部、和在所述粗化部的周围设置的表面粗糙度Ra小于2μm的平滑部。
2.如权利要求1所述的基板载置台,其特征在于:
由所述粗化部支撑基板的中央部分,由所述平滑部支撑基板的周边部分。
3.如权利要求1或2所述的基板载置台,其特征在于:
至少所述粗化部由具有所述基板的硬度以下的硬度的材质形成。
4.如权利要求1或2所述的基板载置台,其特征在于:
所述绝缘膜具有通过喷镀形成的第一喷镀膜、和通过喷镀以覆盖所述第一喷镀膜的至少一部分的方式形成的第二喷镀膜,所述粗化部在所述第一喷镀膜上叠层有所述第二喷镀膜。
5.如权利要求4所述的基板载置台,其特征在于:
所述平滑部的表面由所述第一喷镀膜形成。
6.如权利要求4所述的基板载置台,其特征在于:
所述第二喷镀膜由具有所述基板的硬度以下的硬度的材质形成。
7.如权利要求6所述的基板载置台,其特征在于:
所述第一喷镀膜与所述第二喷镀膜的材质不同。
8.如权利要求7所述的基板载置台,其特征在于:
所述第二喷镀膜由具有所述第一喷镀膜的硬度以下的硬度的材质形成。
9.如权利要求1或2中任一项所述的基板载置台,其特征在于:
具有埋设在所述绝缘膜中的导电层,具有静电吸附功能。
10.一种基板处理装置,其特征在于:
具有权利要求1或2中任一项所述的基板载置台。
11.一种基板载置台的制造方法,该基板载置台用于在对基板实施处理时载置基板,该基板载置台的制造方法的特征在于,包括:
研磨覆盖基材的绝缘膜的表面,形成表面粗糙度Ra小于2μm的平滑面的研磨工序;和
对于研磨后的所述绝缘膜的表面,以在基板载置面的周边部的区域留有平滑面的方式,对所述基板载置面的中央部分的区域实施喷砂处理,形成表面粗糙度Ra为2μm以上6μm以下的粗化部的粗化工序。
12.一种基板载置台的制造方法,该基板载置台用于在对基板实施处理时载置基板,该基板载置台的制造方法的特征在于,包括:
研磨覆盖基材的绝缘膜的表面,形成表面粗糙度Ra小于2μm的平滑面的研磨工序;
对于研磨后的所述绝缘膜的表面,以在基板载置面的周边部的区域留有平滑面的方式,对所述基板载置面的中央部分的区域实施喷砂处理进行减膜的工序;和
对于减膜后的所述中央部分的区域,通过喷镀形成表面粗糙度Ra为2μm以上6μm以下的喷镀膜的工序。
13.如权利要求11或12所述的基板载置台的制造方法,其特征在于:所述绝缘膜是通过喷镀形成的喷镀膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造