[发明专利]发光元件、发光装置、电子装置和照明装置有效
申请号: | 201010576717.2 | 申请日: | 2010-12-01 |
公开(公告)号: | CN102142525A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 瀬尾哲史;铃木恒德;下垣智子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H05B33/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电子 照明 | ||
1.一种发光元件,在阳极和阴极之间至少包括如下的堆叠结构,所述堆叠结构包括第一层、第二层和发光层,其中,所述第一层在所述阳极和所述第二层之间,所述第二层在所述第一层和所述发光层之间,并且所述发光层在所述第二层和所述阴极之间,
其中,所述第一层包括第一有机化合物和电子接受化合物,
其中,所述第二层包括第二有机化合物,所述第二有机化合物的HOMO能级与所述第一有机化合物的HOMO能级相差大于或等于-0.2eV并且小于或等于+0.2eV,以及
其中,所述发光层包括第三有机化合物和相对于所述第三有机化合物具有空穴俘获性质的发光物质,所述第三有机化合物的HOMO能级与所述第二有机化合物的HOMO能级相差大于或等于-0.2eV并且小于或等于+0.2eV。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述发光物质为芳香胺化合物或有机金属配合物。
3.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述发光物质为芘二胺化合物或铱配合物。
4.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一有机化合物的HOMO能级为大于或等于-6.0eV并且小于或等于-5.7eV。
5.根据权利要求1所述的发光元件,在所述阳极和所述阴极之间包括多个所述堆叠结构。
6.一种发光装置,包括根据权利要求1所述的发光元件。
7.一种电子装置,包括根据权利要求6所述的发光装置。
8.一种照明装置,包括根据权利要求6所述的发光装置。
9.一种发光元件,在阳极和阴极之间至少包括如下的堆叠结构,所述堆叠结构包括第一层、第二层和发光层,其中,所述第一层在所述阳极和所述第二层之间,所述第二层在所述第一层和所述发光层之间,并且所述发光层在所述第二层和所述阴极之间,
其中,所述第一层包括第一有机化合物和电子接受化合物,所述第一有机化合物具有第一空穴传输骨架,
其中,所述第二层包括具有第二空穴传输骨架的第二有机化合物,
其中,所述发光层包括具有第三空穴传输骨架的第三有机化合物、和相对于第三有机化合物具有空穴俘获性质的发光物质,以及
其中,所述第一空穴传输骨架、所述第二空穴传输骨架和所述第三空穴传输骨架是相同的。
10.根据权利要求9所述的发光元件,其中,所述发光物质为芳香胺化合物或有机金属配合物。
11.根据权利要求9所述的发光元件,其中,所述发光物质为芘二胺化合物或铱配合物。
12.根据权利要求9所述的发光元件,其中,所述第一有机化合物的HOMO能级为大于或等于-6.0eV并且小于或等于-5.7eV。
13.根据权利要求9所述的发光元件,在所述阳极和所述阴极之间包括多个所述堆叠结构。
14.一种发光装置,包括根据权利要求9所述的发光元件。
15.一种电子装置,包括根据权利要求14所述的发光装置。
16.一种照明装置,包括根据权利要求14所述的发光装置。
17.根据权利要求9所述的发光元件,其中,所述第一空穴传输骨架、所述第二空穴传输骨架和所述第三空穴传输骨架每一个包括富π芳杂环、三环稠合芳烃环、和四环稠合芳烃环中的至少任意一个的骨架。
18.根据权利要求9所述的发光元件,其中,所述第一空穴传输骨架、所述第二空穴传输骨架和所述第三空穴传输骨架每一个包括咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、和蒽中至少任意一个的骨架。
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