[发明专利]一种磁电传感器无效
| 申请号： | 201010576945.X | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102062612A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 邢增平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁电传感器，其特征在于，所述的磁电传感器包括由磁致伸缩材料层、压电材料层和高磁导率粉体复合而成的磁电传感器本体。
2.根据权利要求1所述的磁电传感器，其特征在于，所述的复合方式为将高磁导率粉体通过嵌入的方式嵌入到磁致伸缩材料层中形成含有高磁导率粉体的磁致伸缩材料层，然后再将含有高磁导率粉体的磁致伸缩材料层与压电材料层粘接。
3.根据权利要求2所述的磁电传感器，其特征在于，所述的含有高磁导率粉体的磁致伸缩材料层中高磁导率粉体呈对称分布。
4.根据权利要求1所述的磁电传感器，其特征在于，所述的磁致伸缩材料层的材料为铽镝铁或铁镓。
5.根据权利要求1所述的磁电传感器，其特征在于，所述的压电材料层的压电系数d33大于等于20pC/N。
6.根据权利要求1所述的磁电传感器，其特征在于，所述的高磁导率粉体的相对磁导率大于50。
7.根据权利要求6所述的磁电传感器，其特征在于，所述的高磁导率粉体为锰锌铁氧体粉体。
8.根据权利要求1所述的磁电传感器，其特征在于，所述的磁电传感器包括两个分别位于磁电传感器本体两端的磁铁。
9.根据权利要求8所述的磁电传感器，其特征在于，所述的两个磁铁异极相对，磁极方向与磁致伸缩材料层的磁化方向一致。
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