[发明专利]温度折返限流装置

权利要求书

1.一种温度折返限流装置，用于需要限流电路的芯片上，其特征在于，该限流装置包括：

PTAT电流产生电路，产生PTAT电流；

PTAT电流镜像电路，连接于所述PTAT电流产生电路，所述PTAT电流镜像电路获取所述PTAT电流进行镜像而产生镜像电流；

基准电压产生电路，产生基准电压；

基准电压分流限流电路，连接于所述PTAT电流镜像电路及所述基准电压产生电路，所述基准电压分流限流电路获取所述基准电压、所述镜像电流，所述基准电压分流限流电路受控于所述基准电压，产生具有正温度系数的分流电流，以对所述镜像电流进行分流，并输出分流后的剩余电流，所述剩余电流的值为所述镜像电流与所述分流电流的差；

输出电流镜像电路，连接于所述基准电压分流限流电路，接收所述剩余电流并对其进行镜像，产生输出电流。

2.如权利要求1所述的温度折返限流装置，其特征在于，所述PTAT电流产生电路为带隙基准产生电路。

3.如权利要求1所述的温度折返限流装置，其特征在于，所述基准电压产生电路为带隙基准产生电路。

4.如权利要求1所述的温度折返限流装置，其特征在于，所述PTAT电流产生电路包括：第一P型场效应管、第二P型场效应管、第一N型场效应管、第二N型场效应管、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、电阻；

其中，所述第一PNP型三极管基极和集电极接地，所述第二PNP型三极管基极和集电极接地；所述电阻一端连所述第一PNP型三极管的发射极，所述电阻的另一端连接所述第一N型场效应管的源极；所述第一N型场效应管的漏极与栅极短接，所述第一N型场效应管的栅极与所述第二N型场效应管的栅极连接，所述第二N型场效应管的源极连接所述第二PNP型三极管的发射极；所述第一P型场效应管源极接电源、所述第一P型场效应管漏极接所述第一N型场效应管的漏极，所述第二P型场效应管源极接电源、所述第二P型场效应管漏极接所述第二N型场效应管的漏极，所述第一P型场效应管的栅极与所述第二P型场效应管的栅极相连，所述第二P型场效应管的栅极和漏极短接；所述第二P型场效应管漏极产生所述PTAT电流。

5.如权利要求4所述的温度折返限流装置，其特征在于，所述PTAT电流镜像电路包括：P型场效应管，所述P型场效应管源极接电源，所述P型场效应管栅极接所述PTAT电流产生电路中第二P型场效应管的栅极，所述P型场效应管的漏极产生所述PTAT电流的镜像电流。

6.如权利要求1所述的温度折返限流装置，其特征在于，所述PTAT电流产生电路包括：第一P型场效应管、第二P型场效应管、第三P型场效应管、第四P型场效应管、第一N型场效应管、第二N型场效应管、第三N型场效应管、第四N型场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管；

所述第一PNP型三极管基极和集电极接地，所述第二PNP型三极管基极和集电极接地；所述第三电阻一端连所述第一PNP型三极管的发射极，所述第三电阻的另一端连接所述第三N型场效应管的源极；所述第三N型场效应管的漏极与所述第一N型场效应管的源极相连，所述第三N型场效应管的栅极与所述第四N型场效应管的栅极相连，所述第四N型场效应管的源极接所述第二PNP型三极管的发射极，所述第四N型场效应管的漏极接所述第二N型场效应管的源极，所述第四N型场效应管的栅极还与所述第二N型场效应管的漏极相连；所述第一N型场效应管的漏极接所述第三P型场效应管的栅极，所述第一N型场效应管的栅极与所述第二N型场效应管的栅极相连，所述第二N型场效应管的栅极接所述第四P型场效应管的漏极；所述第一电阻的一端接所述第一N型场效应管的漏极，所述第一电阻的另一端接所述第三P型场效应管的漏极，所述第二电阻的一端接所述第二N型场效应管的漏极，所述第二电阻的另一端接所述第四P型场效应管的漏极；所述第三P型场效应管的源极接所述第一P型场效应管的漏极，所述第三P型场效应管的漏极与所述第一P型场效应管的栅极，所述第三P型场效应管的栅极与所述第四P型场效应管的栅极相连，所述第四P型场效应管的源极与所述第二P型场效应管的漏极相连；所述第一P型场效应管的栅极与所述第二P型场效应管的栅极相连，所述第一P型场效应管的源极接电源，所述第二P型场效应管的源极接电源；所述第四P型场效应管漏极产生所述PTAT电流。