[发明专利]利用低突波预调节来产生VPTAT和/或带隙电压的电路及方法有效
| 申请号： | 201010577751.1 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102176187A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | S·G·赫比斯特 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30;G05F3/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 低突波预 调节 产生 vptat 电压 电路 方法 | ||
1.一种用来产生与绝对温度成比例的电压(VPTAT)的电路，包括：
由X个晶体管构成的一组晶体管，每个晶体管都包括基极以及集电极和发射极之间的电路路径；
多个开关，被配置成选择性地改变如何使所述X个晶体管的至少一些被连接在电路内部；
第一基极-发射极电压支路，被配置成向第一基极-发射极电压支路内的各个晶体管的电流路径提供第一量的电流，以产生第一基极-发射极电压(VBE1)；
第二基极-发射极电压支路，被配置成向第二基极-发射极电压支路内的各个晶体管的电流路径提供第二量的电流，以产生第二基极-发射极电压(VBE2)，其中第二量的电流小于第一量的电流；
第一电流预调节支路，被配置成向第一电流预调节支路内的各个晶体管提供基本上与第一量的电流相等的电流；以及
第二电流预调节支路，被配置来向第二电流预调节支路内的各个晶体管提供基本上与第二的电流相等的电流；
其中所述VPTAT基于分别由第一基极-发射极电压支路和第二基极-发射极电压支路产生的第一基极-发射极电压(VBE1)和第二基极-发射极电压(VBE2)来产生；
其中第一和第二预调节支路内的晶体管不被用来产生VBE1和VBE2；以及其中所述开关被用来随时间选择性地改变所述X个晶体管中的哪些处于第一基极-发射极电压支路、第二基极-发射极电压支路、第一电流预调节支路和第二电流预调节支路中。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于：
在所述晶体管处于第一基极-发射极电压支路内之后，但在开关被用来使所述晶体管处于第二基极-发射极电压支路内之前，开关使得所述晶体管处于第二电流预调节支路内；且
在所述晶体管处于第二基极-发射极电压支路内之后，但在开关被用来使所述晶体管处于第一基极-发射极电压支路内之前，开关使得所述晶体管处于第一电流预调节支路内。
3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，进一步包括：
控制器，被配置成控制开关以由此控制X个晶体管中的哪些处于第一基极-发射极电压支路、第二基极-发射极电压支路、第一电流预调节支路和第二电流预调节支路中。
4.一种用来产生与绝对温度成比例的电压(VPTAT)的方法，包括：
通过向第一电路支路提供第一量的电流来产生第一基极-发射极电压(VBE1)；
通过向第二电路支路提供第二量的电流来产生第二基极-发射极电压(VBE2)，其中第二量的电流小于第一量的电流；
基于第一基极-发射极电压(VBE1)和第二基极-发射极电压(VBE2)产生VPTAT；
随时间改变哪些晶体管处于第一电路支路和第二电路支路中；
在所述晶体管被从第一电路支路切出后，但在所述晶体管被切入第二电路支路之前，将所述晶体管预调节成具有基本上与第二量的电流相等的电流；以及
在所述晶体管被从第二电路支路切换出后，而在所述晶体管被切换进入第一电路支路之前，将所述晶体管预调节成具有基本上与第一量的电流相等的电流。
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