[发明专利]阵列基板及其制造方法和电子纸显示器

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在第一衬底基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线的图案；

在形成上述图案的第一衬底基板上沉积半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括半导体层的图案；

在形成上述图案的第一衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜和栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案；

在形成上述图案的第一衬底基板上沉积栅极保护层薄膜，通过构图工艺形成包括栅极保护层和过孔的图案；

在形成上述图案的第一衬底基板上沉积像素电极薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图案；所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线的图案包括：

在所述掺杂半导体层薄膜上涂覆光刻胶；

采用掩模版对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线图案；

刻蚀所述光刻胶完全去除区域的掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜，形成包括所述掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线的图案；

去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线时还包括：形成存储电容。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺形成包括半导体层的图案包括：

在所述半导体层薄膜上涂覆光刻胶；

采用掩模版对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述半导体层图案；

对所述光刻胶完全去除区域的半导体层薄膜进行刻蚀，形成包括所述半导体层的图案；

去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案包括：

在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用掩模版对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述栅电极和栅线；

对所述光刻胶完全去除区域的栅金属薄膜进行刻蚀，形成包括所述栅电极和栅线的图案；

去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺形成包括栅极保护层和过孔的图案包括：

在所述栅极保护层薄膜上涂覆光刻胶；

采用掩模版对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全去除区域对应所述过孔；

刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的栅极保护层薄膜、所述栅绝缘层、和所述掺杂半导体层，形成包括栅极保护层和过孔的图案；

去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述像素电极形成于所述衬底基板上、且覆盖相邻像单元中与所述像素电极邻接的栅线。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅极保护层的厚度大于