[发明专利]阵列基板及其制造方法和电子纸显示器有效
申请号: | 201010577854.8 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102487041A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 李文波;张卓;马占洁;王刚 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/167 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 华泽珍 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 电子 显示器 | ||
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在第一衬底基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线的图案;
在形成上述图案的第一衬底基板上沉积半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括半导体层的图案;
在形成上述图案的第一衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜和栅金属薄膜,通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案;
在形成上述图案的第一衬底基板上沉积栅极保护层薄膜,通过构图工艺形成包括栅极保护层和过孔的图案;
在形成上述图案的第一衬底基板上沉积像素电极薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图案;所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,通过构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线的图案包括:
在所述掺杂半导体层薄膜上涂覆光刻胶;
采用掩模版对所述光刻胶进行曝光显影,形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案,所述光刻胶完全保留区域对应所述掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线图案;
刻蚀所述光刻胶完全去除区域的掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜,形成包括所述掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线的图案;
去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,在形成所述掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线时还包括:形成存储电容。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,通过构图工艺形成包括半导体层的图案包括:
在所述半导体层薄膜上涂覆光刻胶;
采用掩模版对所述光刻胶进行曝光显影,形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案,所述光刻胶完全保留区域对应所述半导体层图案;
对所述光刻胶完全去除区域的半导体层薄膜进行刻蚀,形成包括所述半导体层的图案;
去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案包括:
在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶;
采用掩模版对所述光刻胶进行曝光显影,形成包括光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域的光刻胶图案,所述光刻胶完全保留区域对应所述栅电极和栅线;
对所述光刻胶完全去除区域的栅金属薄膜进行刻蚀,形成包括所述栅电极和栅线的图案;
去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,通过构图工艺形成包括栅极保护层和过孔的图案包括:
在所述栅极保护层薄膜上涂覆光刻胶;
采用掩模版对所述光刻胶进行曝光显影,形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案,所述光刻胶完全去除区域对应所述过孔;
刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的栅极保护层薄膜、所述栅绝缘层、和所述掺杂半导体层,形成包括栅极保护层和过孔的图案;
去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述像素电极形成于所述衬底基板上、且覆盖相邻像单元中与所述像素电极邻接的栅线。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述栅极保护层的厚度大于
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造