[发明专利]用于薄膜电阻器生产的硬掩膜

权利要求书

1.一种薄膜电阻器的制造方法，包括：

提供半导体基板；

在所述半导体基板的上方形成电阻层；

在所述电阻层的上方形成硬掩膜层，其中所述硬掩膜层包括位于所述电阻层上方的阻挡层和位于所述阻挡层上方的介电层；以及，

在所述硬掩膜层中形成暴露所述阻挡层的一部分的开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电阻层包括形成SiCr，NiCr，或TaN层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述硬掩膜层包括形成作为所述阻挡层的TiN，TiW或Mo层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述硬掩膜层包括形成作为所述介电层的SiON，SiO₂，非晶碳层，或其组合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硬掩膜层中形成暴露所述电阻层的一部分的所述开口，包括：

通过第一蚀刻工艺图案化所述阻挡层；以及

通过第二蚀刻工艺图案化所述介电层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硬掩膜层中形成暴露所述电阻层的一部分的所述开口，包括：

在所述介电层的上方形成光阻层；

图案化所述光阻层以暴露所述介电层的一部分；

蚀刻所述介电层的暴露部分，从而暴露所述阻挡层的一部分；

然后，除去所述光阻层；并且

蚀刻所述阻挡层的暴露部分，从而暴露所述电阻层的部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述蚀刻所述介电层的暴露部分包括实施干式蚀刻工艺。

8.根据权利要求7所述的方法，其中实施所述干式蚀刻工艺包括实施选择性的干式蚀刻工艺，使得所述阻挡层作为蚀刻停止层起作用。

9.一种薄膜电阻器的制造方法，包括：

提供半导体基板；

在所述基板上方形成绝缘层；

在所述绝缘层上方形成薄膜电阻器层；

在所述薄膜电阻器层上方形成硬掩膜层，其中所述硬掩膜层包括在所述薄膜电阻器层上方的阻挡层以及所述阻挡层上方的介电层；

除去所述介电层的一部分以暴露所述阻挡层的一部分；以及

除去所述阻挡层的暴露部分以暴露所述薄膜电阻器层的一部分。

10.一种薄膜电阻器的制造方法，包括：

提供半导体基板；

在所述半导体基板上方形成薄膜电阻器层；

在所述薄膜电阻器层的上方形成阻挡层；

在所述阻挡层的上方形成介电层；

使用第一掩膜以图案化所述介电层，阻挡层，以及薄膜电阻器层，其中所述图案化的介电层，阻挡层，以及薄膜电阻器层界定薄膜电阻器结构的形状；以及

使用第二掩膜以除去所述图案化的介电层和阻挡层的部分，以暴露所述图案化的薄膜电阻器层的一部分。