[发明专利]静电电容型输入装置及其制造方法

权利要求书

1.一种静电电容型输入装置，包括：

第一透明导电膜，构成第一电极和第二电极，该第一电极在基板上的输入区域中在第一方向上延伸，该第二电极在该输入区域中在与该第一方向交叉的第二方向上延伸并在与该第一电极的交叉部分中断开；

层间绝缘膜，至少形成在与该交叉部分重叠的区域中；以及

第二透明导电膜，形成在该层间绝缘膜上并具有比该第一透明导电膜的薄层电阻低的薄层电阻，该第二透明导电膜构成中继电极和周边配线，该中继电极通过在没有形成该层间绝缘膜的区域中电连接到该第二电极而使在该交叉部分中断开的该第二电极电连接，该周边配线在该基板的位于该输入区域外侧的周边区域中延伸。

2.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置，其中该第一透明导电膜构成辅助配线，该辅助配线延伸为与该周边配线重叠并且并联地电连接到该周边配线。

3.根据权利要求2所述的静电电容型输入装置，其中该层间绝缘膜形成在与该第一电极重叠的区域中以及与该第二电极重叠的区域中。

4.根据权利要求3所述的静电电容型输入装置，其中该层间绝缘膜形成在该周边配线的层和该辅助配线的层之间。

5.根据权利要求2所述的静电电容型输入装置，其中该层间绝缘膜仅形成在该输入区域的与该交叉部分重叠的区域中。

6.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置，其中该第二透明导电膜由对该第一透明导电膜具有蚀刻选择性的蚀刻材料蚀刻。

7.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置，其中该第二透明导电膜是堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜。

8.根据权利要求3所述的静电电容型输入装置，其中该第二透明导电膜是堆叠ITO层、银基金属层和ITO层的透明导电膜。

9.一种静电电容型输入装置的制造方法，该方法包括如下步骤：

通过在基板上形成第一透明导电膜并采用光刻技术图案化该第一透明导电膜而形成第一电极和第二电极，该第一电极在该基板上的输入区域中在第一方向上延伸，该第二电极在该输入区域中在与该第一方向交叉的第二方向上延伸并且在与该第一电极的交叉部分中断开；

通过在该基板上形成绝缘膜并采用光刻技术图案化该绝缘膜，至少在与该交叉部分重叠的区域中形成层间绝缘膜；以及

通过在该基板上形成具有比该第一透明导电膜的薄层电阻低的薄层电阻的第二透明导电膜并采用光刻技术图案化该第二透明导电膜而形成中继电极和周边配线，该中继电极使在该交叉部分中断开的该第二电极电连接，该周边配线在该基板的位于该输入区域外侧的周边区域中延伸。