[发明专利]环栅场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种环栅场效应晶体管的制备方法，包括：

在半导体衬底上形成悬空鳍片；

在所述鳍片的四周形成栅堆叠结构；

在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；

其中，与所述鳍片及栅堆叠结构的底部相邻的半导体衬底中包括隔离介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在半导体衬底上形成悬空鳍片的步骤包括：

在半导体衬底上形成介质层；

刻蚀所述介质层及半导体衬底以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；

在所述鳍片的侧壁形成侧墙；

刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成悬空鳍片；

在所述鳍片和凹槽的下方形成隔离介质层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述介质层包括SiO₂、TEOS或Si₃N₄。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述鳍片的宽度为10-60nm。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述在所述鳍片的侧壁形成侧墙的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成第二介质层；

刻蚀所述第二介质层以形成侧墙。

6.根据权利要求2所述的方法，所述刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成悬空鳍片的步骤包括：

采用各向同性的刻蚀方法进一步刻蚀所述凹槽以使所述凹槽进一步延伸到所述半导体衬底中，同时凹槽向鳍片底部延伸直至两个相邻的凹槽在鳍片的底部发生连通，形成悬空鳍片。

7.根据权利要求2所述的方法，所述隔离介质层包括填充介质层，所述在所述鳍片和凹槽的下方的形成隔离介质层的步骤包括：

在半导体衬底上形成填充介质层；

进一步回刻填充介质层将鳍片完全露出，在凹槽的底部留有一层填充介质层形成隔离介质层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述隔离介质层的厚度为50-300nm。

9.根据权利要求1所述的方法，所述鳍片的四周形成栅堆叠结构的步骤包括：

在悬空鳍片的四周形成栅介质层和栅电极材料；

光刻、刻蚀形成栅电极堆叠结构；

10.根据权利要求1所述的方法，在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构之前，所述方法进一步包括：

进行倾角离子注入，以在所述鳍片中形成源/漏延伸区；或

进行倾角离子注入，以在所述鳍片中形成晕环注入区。

11.根据权利要求1所述的方法，所述在栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构步骤包括：

在鳍片的两侧形成侧墙；

离子注入形成源漏掺杂；

形成源漏硅化物。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述半导体衬底为体硅衬底。