[发明专利]声子助电子发射阴极和声子助电子发射器件有效
申请号: | 201010578753.2 | 申请日: | 2010-12-03 |
公开(公告)号: | CN102074430A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 魏贤龙;陈清;彭练矛 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01J1/312 | 分类号: | H01J1/312 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 余功勋 |
地址: | 100871 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声子助 电子 发射 阴极 和声 器件 | ||
1.一种声子助电子发射阴极,其包括电子发射体和为所述电子发射体提供电场的电极对,其特征在于,
所述电子发射体中的声子的湮灭时间比产生时间长,施加所述电场后,电子声子相互作用能够产生非平衡声子;
所述电子发射体中的电子,被所述电场加速后受到所述声子的散射,散射时,电子能够吸收声子;散射后,电子能够保持运动方向不变。
2.如权利要求1所述的声子助电子发射阴极,其特征在于,所述电极对位于所述电子发射体的两端,并和所述电子发射体电连接。
3.如权利要求1所述的声子助电子发射阴极,其特征在于,所述声子为光学声子。
4.如权利要求1所述的声子助电子发射阴极,其特征在于,所述电子发射体由一维或准一维材料制成。
5.如权利要求1所述的声子助电子发射阴极,其特征在于,所述电子发射体由碳纳米管或石墨烯制成。
6.如权利要求1所述的声子助电子发射阴极,其特征在于,所述电子发射体两端的电压高于设定的阈值。
7.如权利要求1所述的声子助电子发射阴极,其特征在于,所述电子沿电场力方向运动的路径大于设定的阈值。
8.如权利要求1所述的声子助电子发射阴极,其特征在于,所述电子发射体两端的电压小于20V,所述声子助电子发射阴极在0℃-60℃的范围内工作。
9.一种声子助电子发射器件,其特征在于,其包括如权利要求1-8任意一项所述的声子助电子发射阴极,用于支撑所述声子助电子发射阴极的支撑物,和用于收集所述阴极发射的电子的阳极。
10.如权利要求9所述的声子助电子发射器件,其特征在于,所述声子助电子发射阴极和所述阳极之间为真空,所述声子助电子发射阴极的电子发射体和所述支撑物全部接触、全部分离、或部分分离。
11.如权利要求9所述的声子助电子发射器件,其特征在于,所述阳极由透明导体制成,所述导体表面涂有感光物质。
12.如权利要求11所述的声子助电子发射器件,其特征在于,所述感光物质是磷光层。
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