[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体装置，其特征在于，

该化合物半导体装置具有：

第1化合物半导体层，其具有二维载流子气沟道；

第2化合物半导体层，其配置在所述第1化合物半导体层上，作用为载流子供给层；

化合物半导体元件，其具有：第1电极，其配置在所述二维载流子气沟道上；以及第2主电极，其在所述二维载流子气沟道上与所述第1电极分开配置，以及

外周区域，其在包围所述化合物半导体元件的周围的区域的一部分中，配置在所述二维载流子气沟道上，并具有降低该二维载流子气沟道的载流子浓度的外周电极。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，

所述外周电极的结构与所述第1电极相同。

3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体装置，其特征在于，

所述化合物半导体元件是将所述第1电极用作控制电极的高电子迁移率晶体管，或者，

所述化合物半导体元件是将所述第1电极用作在与所述二维载流子气沟道之间具有整流特性的阳极电极的二极管。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的化合物半导体装置，其特征在于，

所述外周区域的所述外周电极具备导电类型与所述二维载流子气沟道相反的电极层，该电极层由金属氧化物半导体或氮化物半导体、或者所述金属氧化物半导体和所述氮化物半导体的组合构成，或者，

所述外周电极由所述电极层和绝缘体组合而成。

5.一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，该化合物半导体装置的制造方法具有以下步骤：

在具有二维载流子气沟道的第1化合物半导体层上，形成作用为载流子供给层的第2化合物半导体层；

在所述二维载流子气沟道上，形成具有相互分开的第1电极和第2电极的化合物半导体元件；以及

在包围所述化合物半导体元件的周围的区域的一部分中，在所述二维载流子气沟道上，形成具有降低其载流子浓度的外周电极的外周区域。