[发明专利]体内场调制的体硅LDMOS器件无效
| 申请号： | 201010579333.6 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102082177A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 梁涛;罗波;孙镇 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体内 调制 ldmos 器件 | ||
1.体内场调制的体硅LDMOS器件，包括源极、漏极、第一型杂质衬底及第二型杂质外延层，所述第一型杂质衬底设置在水平面，第二型杂质外延层设置在第一型杂质衬底上，其特征在于，还包括第二型杂质浮空层，所述第二型杂质浮空层水平设置在第一型杂质衬底中，第二型杂质浮空层与第二型杂质外延层之间的垂直距离大于零，所述第二型杂质浮空层与第二型杂质外延层的导电类型相同。
2.根据权利要求1所述体内场调制的体硅LDMOS器件，其特征在于，所述第一型杂质为p型杂质或n型杂质，第二型杂质为n型杂质或p型杂质。
3.根据权利要求2所述体内场调制的体硅LDMOS器件，其特征在于，所述第二型杂质浮空层从漏极的一端到源极的一端之间间断的分为n个区域，每两个相邻区域之间具有大于零的间距。
4.根据权利要求3所述体内场调制的体硅LDMOS器件，其特征在于，所述n个区域的长度相同且每两个相邻区域之间的间距相同。
5.根据权利要求4所述体内场调制的体硅LDMOS器件，其特征在于，所述间距长度为2μm到8μm。
6.根据权利要求4或5所述体内场调制的体硅LDMOS器件，其特征在于，所述第二型杂质浮空层的一端位于漏极，另一端与源极具有一定的水平距离，所述水平距离大于两个区域加上这两个区域之间的间距的长度。
7.根据权利要求6所述体内场调制的体硅LDMOS器件，其特征在于，所述第二型杂质浮空层的浓度为1e16cm-3到2e17cm-3，其厚度为1μm到5μm，其与第二型杂质外延层的垂直距离为5μm到20μm。
8.根据权利要求3所述体内场调制的体硅LDMOS器件，其特征在于，所述n个区域的长度不相同且每两个相邻区域之间的间距也不相同。
9.根据权利要求8所述体内场调制的体硅LDMOS器件，其特征在于，所述间距从第二型杂质浮空层的漏极的一端到源极的一端依次增大，所述区域长度从第二型杂质浮空层的漏极的一端到源极的一端依次减小。
10.根据权利要求1或2或3或4或5或8或9所述体内场调制的体硅LDMOS器件，其特征在于，所述第二型杂质浮空层的浓度为1e16cm-3到2e17cm-3，其厚度为1μm到5μm，其与第二型杂质外延层的垂直距离为5μm到20μm。
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