[发明专利]一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法

权利要求书

1.一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)驱体溶液的配置：将硫族元素化合物溶于溶剂中，制得0.01～0.1mol/L的硫族元素的酸溶液，另将锑、铅、铟、锌或银的盐溶于溶剂中，制备0.01～0.1mol/L的锑、铅、铟、锌或银盐溶液；将上述两种溶液充分混合，即制成均匀稳定的前驱体溶液；

(2)共还原处理：将步骤(1)得到的前驱体溶液承载在基片上或坩埚内，然后将其置于密封还原装置中，控制装置的温度为室温至180温度条件下，采用还原性气体对前驱体溶液进行共还原10～30分钟，得到结晶程度较低的硫族化合物低维纳米结构；

(3)热处理：在还原性气体的气氛下，对步骤(2)得到的结晶程度较低的硫族化合物低维纳米结构在180℃～280℃条件下恒温生长0.5～12小时，然后自然冷却至室温，得到的产物均匀沉积在基片上或坩埚内，即为产品。

2.根据权利要求1所述的一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的硫族化合物为硒、碲及硫的氧化物或酸或含硫有机物中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的锑、铅、铟、锌或银的盐为锑、铅、铟、锌或银的硝酸盐、醋酸盐、氯化盐或金属醇盐中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的溶剂选自乙二醇、丙三醇、去离子水、无水乙醇、苯、甲苯或四氯化碳中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的前驱体溶液中各元素的摩尔比选自Sb∶Te为2∶3、Sb∶Se为2∶3、Sb∶S为2∶3、Pb∶Te为1∶1、In∶Te为2∶3、Ag∶Te为2∶1或Zn∶Te为1∶1中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述的基片为单晶硅、石英玻璃、蓝宝石、普通玻璃、陶瓷或有机衬底材料。

7.根据权利要求1所述的一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述的坩埚为陶瓷坩埚、普通坩埚或石英玻璃坩埚。

8.根据权利要求1所述的一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述的还原性气体为N₂H₄、NH₃、C₂N₂H₈、H₂S或CH₂N₂S。

9.根据权利要求1所述的一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述的密封还原装置由聚四氟乙烯内衬及不锈钢或铜包套构成，所述的聚四氟乙烯内衬内置有聚四氟乙烯支柱作为基片的承载平台，顶部设置聚四氟乙烯密封顶盖，所述的不锈钢或铜包套设在聚四氟乙烯内衬外部，将聚四氟乙烯内衬密封在内。