[发明专利]半导体装置以及使用它的电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：第一导电型的第一半导体层；在该第一半导体层的表面附近形成的第二导电型的第二半导体层；与所述第一半导体层邻接，在与所述第二半导体层相反一侧的表面附近形成的第二导电型的第三半导体层；在该第三半导体层的上部选择性地设置的第一导电型的第四半导体层；贯穿该第四半导体层和所述第三半导体层到达所述第一半导体层的沟槽；沿该沟槽的内壁设置的栅极绝缘层；在所述沟槽内设置的绝缘层；在所述栅极绝缘层的内侧空间中填充的第一导电层；以及设置在所述绝缘层的表面上的第二导电层，所述半导体装置的特征在于，

所述第一导电层具有在所述沟槽内隔着所述绝缘层和第二导电层而被分割的剖面结构。

2.一种半导体装置，具有：第一导电型的第一半导体层；在该第一半导体层的表面附近形成的第二导电型的第二半导体层；与所述第一半导体层邻接，在与所述第二半导体层相反侧的表面附近形成的第二导电型的第三半导体层；在该第三半导体层的上部选择性地设置的第一导电型的第四半导体层；贯穿该第四半导体层和所述第三半导体层到达所述第一半导体层的沟槽；沿该沟槽的内壁设置的栅极绝缘层；在所述沟槽内设置的绝缘层；在所述栅极绝缘层的内侧空间中填充的第一导电层；以及在所述绝缘层的表面上设置的第二导电层，所述半导体装置的特征在于，

所述第二导电层至少在所述沟槽内一部分向所述第一半导体层侧突出。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

比不形成所述沟槽的区域的宽度b宽地形成所述沟槽的宽度a。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

在所述宽度a宽的所述沟槽的侧壁上设置所述第一导电层。

5.根据权利要求1、2、4的任何一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导电层被所述栅极绝缘层和所述绝缘层覆盖。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

比所述栅极绝缘层厚地形成所述绝缘层。

7.根据权利要求1、2、4的任何一项所述的半导体装置，其特征在于，

比所述半导体装置的周边区域的绝缘层薄地形成所述半导体装置的主动区域的绝缘层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置的主动区域的绝缘层的厚度为300nm～1000nm。

9.根据权利要求1、2、4的任何一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述沟槽为阶梯状，而且形成为两级。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

以所述阶梯状形成为两级的沟槽内的所述第二导电层的所述第一半导体层侧端部位于比所述第一导电层的所述第一半导体层侧端部靠近第一半导体层侧的位置。

11.根据权利要求1、2、4的任何一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述沟槽的所述第一半导体层侧设置有第二导电型的第五半导体层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

设置所述第五半导体层，使其覆盖所述第一导电层的所述第一半导体层侧端部。

13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第五半导体层内设置有第一导电型的第六半导体层。

14.根据权利要求1、2、4的任何一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第三导电层的所述第一半导体层侧设置有第二导电型的第七半导体层。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

所述第七半导体层的至少一部分搭在位于所述第三半导体层的两侧的所述第一导电层的所述第一半导体层侧端部上。

16.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

所述第七半导体层形成两层，各个所述第七半导体层的至少一部分搭在位于所述第三半导体层的两侧的各个所述第一导电层的所述第一半导体层侧端部上。

17.根据权利要求1、2、4的任何一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述沟槽内形成有由绝缘膜和第三导电层形成的电容。