[发明专利]一种变频微波炉用高压二极管及其生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及晶体二极管芯片生产技术领域， 特别涉及一种变频微波炉用高压二极管及其生产工艺，由变频方式驱动磁控管，使微波炉的输出功率能实现连续可调，利用变化频率来控制输出功率的强弱，使微波炉的火力可调控。

背景技术

目前微波炉使用的高压二极管是工频高压二极管。现有技术存在问题包括：1)、工频高压二极管抗浪涌能力差。2)、工频高压二极管开关损耗大。3）、产品功耗大、温升快。

发明内容

本发明的目的就是为克服现有技术的不足，设计一种变频微波炉用高压二极管及其生产工艺、结构，提高了高压二极管的抗浪涌能力、降低了开关损耗及功耗，降低了温升，适用于变频微波炉的高频率变化的使用，使火力加热变得均匀。

本发明是通过这样的技术方案实现的：

   一种变频微波炉用高压二极管的生产工艺，其特征在于：

1）扩散前处理：通过酸、碱、去离子水等多道工序，对硅片表面进行化学处理；

2）磷硼扩散：清洗干净的原始硅片，在1200～1250℃扩散炉中恒温扩散；

3）扩散后处理：用酸、去离子水超声清洗，使硅片分离并去除氧化膜；

4）扩散检验：测试扩散后硅片的方块电阻、结深、反向恢复时间；

5）铂扩散：扩入金属铂，减小反向恢复时间，提高频率；

6）喷砂：用金刚砂对硅片表面进行均匀的粗面化；

7）镀镍、镀金：将喷砂后的硅片去砂、清洗、在专用镀槽中进行镀镍、镀金，干燥；

8）合金：将镀镍后的硅片，铅锡焊片，按顺序装入模具，放进200～250℃的烧结炉中进行烧结合金；

9) 切断：用切断机将合金后的硅块切割成所需大小的管芯；

10）中测：用正向测试仪测试管芯正向压降；

11) 腐蚀：将测试后的管芯进行酸腐蚀；

12）组装：将腐蚀后的管芯、引线装入模具，放进200～250℃的烧结炉中进行烧结；

13）清洗：组装后的管芯装入清洗模具进行清洗；

14）钝化保护：将组装后的管芯清洗干净后，涂保护胶并固化；

15）封装：将固化后的管芯装入塑封模具封装；

16）后固化：将塑封后的高压二极管放入烘箱进行后固化，后固化温度100～150℃ 。  

    根据所述方法获得变频微波炉用高压二极管其结构特征为：P型硅片和多枚二极管方向相同叠放在一起，即P型片+P⁺NN⁺…P⁺NN⁺…P⁺NN⁺+P型片。

    本发明的变频微波炉用高压二极管及其制造方法，采用磷硼扩散、合金、切割、组装、钝化、封装等工艺，采用液态磷源深结扩散的两次扩散的方法，降低正向压降，减小高压二极管的功耗；采用金属铂扩散的方法减小反向恢复时间，降低开关损耗；采用增大芯片面积的方法，提高变频微波炉用高压二极管的可靠性；本发明的提高了变频微波炉用高压二极管的耐压能力、抗浪涌能力，降低了开关损耗和功耗，提高了可靠性，使变频微波炉的火力均匀调控而不被毁坏，保证了微波炉的可靠性和使用寿命。

附图说明

    图1为变频微波炉用高压二极管结构示意图；

    图2为变频微波炉用高压二极管生产工艺流程图 。

    图中：1.镀银引线，2.结保护胶，3.塑封料，4.焊料，5.硅片，6.P型片

具体实施方式

    如图1、图2所示本发明的变频微波炉用高压二极管制造技术如下：

（1）、结构：多枚二极管方向相同叠放在一起P⁺NN⁺…N⁺NP⁺…，两端加P型片。

（2）、工艺流程：

1）扩散前处理：通过酸、碱、去离子水等多道工序，对硅片表面进行化学处理。

2）磷硼扩散：清洗干净的原始硅片，在1200～1250℃扩散炉中恒温扩散。

3）扩散后处理：用酸、去离子水超声清洗，使硅片分离并去除氧化膜；

4）扩散检验：测试扩散后硅片的方块电阻、结深、反向恢复时间。

5）铂扩散：扩入金属铂，减小反向恢复时间，提高频率。

6）喷砂：用金刚砂对硅片表面进行均匀的粗面化。

7）镀镍、镀金：将喷砂后的硅片去砂、清洗、在专用镀槽中进行镀镍、镀金、干燥。