[发明专利]射频识别中的电流注入型混频器

权利要求书

1.一种射频识别中的电流注入型混频器，其特征在于，包括：

一负载电路；

一开关电路，连接于所述负载电路，所述开关电路和所述负载电路的连接处为信号输出端；所述开关电路包括第一电流路径和第二电流路径；

一尾电流电路；

一跨导电路，包括第一输入跨导管、第二输入跨导管、第一电流注入管、第二电流注入管；所述第一电流注入管和所述第一电流路径并联组成第一射频偏置电流路径，所述第一输入跨导管串联于所述第一射频偏置电流路径上；所述第二电流注入管和所述第二电流路径并联组成第二射频偏置电流路径，所述第二输入跨导管串联于所述第二射频偏置电流路径上；所述第一输入跨导管的信号输入端和所述第一电流注入管的信号输入端相连接组成第一信号输入端，所述第二输入跨导管的信号输入端和所述第二电流注入管的信号输入端相连接组成第二信号输入端；所述第一信号输入端和所述第二信号输入端分别和一对射频电压差分信号相连。

2.如权利要求1所述射频识别中的电流注入型混频器，其特征在于：所述第一输入跨导管和所述第二输入跨导管都为NMOS管，所述第一电流注入管和所述第二电流注入管都为PMOS管；

所述第一电流注入管和所述第二电流注入管的源极都接电源电压；所述第一电流注入管的漏极和所述第一电流路径的输出端相连组成所述第一射频偏置电流路径；所述第二电流注入管的漏极和所述第二电流路径的输出端相连组成所述第二射频偏置电流路径；

所述第一输入跨导管和所述第二输入跨导管的源极相连接并都连接到尾电流电路上；所述第一输入跨导管的漏极和所述第一电流路径的输出端相连、所述第二输入跨导管的漏极和所述第二电流路径的输出端相连；

所述第一输入跨导管、所述第二输入跨导管、所述第一电流注入管和所述第一电流注入管的信号输入端为各晶体管的栅极；所述第一输入跨导管的栅极和所述第一电流注入管的栅极相连接组成第一信号输入端；所述第二输入跨导管的栅极和所述第二电流注入管的栅极相连接组成第二信号输入端。

3.如权利要求1所述射频识别中的电流注入型混频器，其特征在于：所述开关电路包括第一NMOS开关管、第二NMOS开关管、第三NMOS开关管和第四NMOS开关管；所述第一NMOS开关管和第二NMOS开关管的源极相连接且为所述第一电流路径的输出端，所述第三NMOS开关管和第四NMOS开关管的源极相连接且为所述第二电流路径的输出端；

所述第一NMOS开关管和所述第四NMOS开关管的栅极都接第一本振电压信号，所述第二NMOS开关管和所述第三NMOS开关管的栅极都接第二本振电压信号，所述第一本振电压信号和所述第二本振电压信号为一对本振电压差分信号；

所述第一NMOS开关管和所述第三NMOS开关管的漏极都接所述负载电路的第一输出端，所述第二NMOS开关管和所述第四NMOS开关管的漏极都接所述负载电路的第二输出端；

所述负载电路的第一输出端组成第一信号输出端、所述负载电路的第二输出端组成第二信号输出端，所述第一信号输出端和所述第二信号输出端分别连接一输出隔直电容，各所述输出隔直电容输出一对中频电压差分信号。

4.如权利要求1所述射频识别中的电流注入型混频器，其特征在于：所述负载电路包括第一负载电阻和第二负载电阻；所述第一负载电阻的第一端连接电源电压、所述第一负载电阻的第二端为所述负载电路的第一输出端；所述第二负载电阻的第一端连接电源电压、所述第二负载电阻的第二端为所述负载电路的第二输出端。

5.如权利要求1所述射频识别中的电流注入型混频器，其特征在于：所述尾电流电路为一NMOS尾电流管，所述NMOS尾电流管的源极接地，所述NMOS尾电流管的漏极与所述第一射频偏置电流路径和所述第二射频偏置电流路径的输出端相连，所述NMOS尾电流管的栅极接一偏置电压。