[发明专利]神经移植体有效

专利信息
申请号: 201010583207.8 申请日: 2010-12-11
公开(公告)号: CN102526807A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 范立;冯辰;赵文美 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: A61L27/40 分类号: A61L27/40;A61L27/50;A61F2/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 神经 移植
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种神经移植体,尤其是涉及一种可供生物体移植的神经移植体。

背景技术

神经系统主要由神经元(neurons)以及神经胶质细胞(neuron glial cells)构成一复杂且特异的沟通网域,用以与其它组织或器官建立连结以进行功能协调。神经系统中,是由神经元来执行接收刺激、通过传导并输出神经递质(neuron transmitter)以进行组织或器官间讯息沟通,而神经胶质细胞则执行神经元物理性支持、营养提供以及调节沟通讯息速度等功能。每一神经元依据型态包含胞体(cell body)与神经突起(neurite)两部分,神经突起自胞体延伸并朝向其它神经元或是其它细胞(例如:肌肉细胞)生长,其中神经突起又分为轴突(axon)与树突(dendrite)两种。一般来说,刺激由树突接收并将冲动传向胞体,冲动经过轴突传导至轴突末端,并释放传导物质来触动其它细胞。

由于神经系统扮演生物体内各组织与器官之间的协调作用,其重要性不言可喻。目前,因神经系统受损而导致的神经缺损是临床常见的致残性疾病。其中,通过植入神经移植体来修复受损的神经系统,是神经外科手术用来修复因各种情况引起的神经系统损伤的一种重要手段。现有的神经移植体通常为“桥接”在神经系统受损部位两端的神经管,该神经管由生物降解材料制成的管状结构。神经系统受损部位一端的神经元沿所述神经管内壁生长出神经突起以到达所述神经系统受损部位的另一端。

通常,需要通过植入所述神经管的方式进行修复的的受损部位的长度较长,而所述神经突起的生长过程非常缓慢,因此,利用所述神经管来修复受损的神经系统所需的修复时间较长。

发明内容

有鉴于此,确有必要提供一种神经移植体,该神经移植体能够减少受损的神经系统的修复时间。

一种神经移植体,其包括一疏水性基底、一碳纳米管膜结构、一蛋白质层及一神经网络。所述碳纳米管膜结构设置在所述疏水性基底的一表面。所述蛋白质层设置在所述碳纳米管膜结构远离所述疏水性基底的表面。所述神经网络设置在所述蛋白质层远离所述碳纳米管膜结构的表面。所述神经网络包括多个神经细胞及多个神经突起,所述多个神经细胞之间的神经突起相互连接形成一神经网络。

与现有技术相比较,所述神经移植体在所述培育层的表面形成所述神经网络。所述培育层中的碳纳米管膜结构与疏水性基底均具有弹性佳与延展性良好等优点,因此,所述神经移植体可根据受损神经系统的受损部位的形状、大小进行裁剪、拉伸并植入受损部位。所述神经网络具有生物活性及信号传递能力,从而使得包括所述神经网络的神经移植体也具有生物活性及信号传递能力。当所述神经移植体植入生物体中的受损部位时,由于所述神经植入体中的神经元与所述受损部位两端或边缘的神经元的距离非常近,因此可通过直接缝合所述神经植入体中的神经元与受损部位边缘的神经元的方式使所述受损部位的两端建立起信号传递能力,完成受损部位的神经修复,从而节省所述神经突起的生长时间,减少受损的神经系统的修复时间。

附图说明

图1为本发明实施例所提供的一神经移植体的制备方法的流程示意图。

图2为一碳纳米管絮化膜的扫描电镜照片。

图3为一碳纳米管碾压膜的扫描电镜照片。

图4为一碳纳米管拉膜的扫描电镜照片。

图5为本发明实施例所提供的神经移植体的侧视示意图。

图6为本发明实施例所提供的神经移植体的俯视示意图。

图7为本发明实施例所提供的碳纳米管膜结构的扫描电镜照片。

图8为本发明实施例所提供的碳纳米管膜结构的透射电镜照片。

图9为本发明实施例所提供的培育层的透射电镜照片。

图10为在图9中的培育层种植有神经细胞时的透射电镜照片。

图11为本发明实施例所提供的未经染色的神经移植体的扫描电镜照片。

图12为本发明实施例所提供的神经移植体染色后的扫描电镜照片。

主要元件符号说明

神经移植体        100

培育层            10

疏水性基底        11

碳纳米管膜结构    12

蛋白质层          14

神经网络          20

神经细胞          22

神经突起          24

具体实施方式

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