[发明专利]一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法

权利要求书

1.一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、对要分析的各个相变材料进行测试，提取它们在同等升温速率下的电阻和温度关系曲线；

步骤二、提取各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数，并对所述拟合函数进行一阶导数求导，从而得到一阶导数曲线，通过各个相变材料的一阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶温度；

步骤三、对各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数进行二阶导数求导，从而得到二阶导数曲线，通过各个相变材料的二阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶速率。

2.根据权利要求1所述一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，其特征在于：步骤一对测试数据中的电阻值取对数，从而提取相变材料的电阻和温度关系曲线。

3.根据权利要求1所述一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，其特征在于：所测相变材料的一阶导数曲线中的最大绝对值点对应的温度作为该相变材料的结晶温度。

4.根据权利要求1所述一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，其特征在于：所测相变材料的一阶导数曲线中的最大绝对值点对应的纵坐标用于判断该相变材料在结晶温度下电阻变化的程度。

5.根据权利要求1所述一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，其特征在于：所测相变材料的二阶导数曲线中的最大绝对值点对应的温度作为该相变材料的成核温度。

6.根据权利要求1所述一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，其特征在于：所测相变材料的二阶导数曲线中的最大绝对值点对应的纵坐标用于判断该相变材料结晶速率的大小。

7.根据权利要求1所述一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，其特征在于：所述相变材料包括GeSbTe材料及其掺杂后的复合相变材料，以及SiSbTe材料、GeTe材料、SbTe材料及它们掺杂后的复合相变材料。