[发明专利]显示装置、电子装置和驱动显示装置的方法无效
申请号: | 201010583656.2 | 申请日: | 2006-07-04 |
公开(公告)号: | CN102063865A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 木村肇;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯广华;王洪斌 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子 装置 驱动 方法 | ||
本申请是申请日为2006年7月4日、申请号为200610103013.7、发明名称为“显示装置、电子装置和驱动显示装置的方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及具有其上显示字符和图像的显示屏的显示装置,以及涉及用于改进显示屏的可视性的技术。
背景技术
近年来,所说的自发光显示装置一直受到关注,它具有由如发光二极管的发光元件构成的像素。作为此类自发光显示装置中使用的发光元件,有有机发光二极管(也称为OLED,有机EL元件、电致发光(EL)元件等),它一直受到关注并用于EL显示器(例如,有机EL显示器)。因为如OLED的发光元件是自发光类型,所以较之液晶显示器,在保证像素的高可视性、无需背光、实现高响应速度等方面具有优势。发光元件的亮度由流入其中的电流值来控制。
作为此类显示装置中控制发光的灰度级(亮度)的驱动方法,有数字灰度级方法和模拟灰度级方法。在数字灰度级方法中,通过以数字方式控制发光元件的开/关来表示灰度级。另一方面,就模拟灰度级方法而言,有以模拟方式控制发光元件的发光强度的方法和以模拟方式控制发光元件的发光时间的方法。
在数字灰度级方法中,可以仅选择两个状态的发光元件,它们是发光状态和非发光状态;因此,仅可以表示两个灰度级。由此,数字灰度级方法常常与实现多灰度级显示器的另一种方法组合来使用。作 为用于实现多个灰度级的方法,时间灰度级方法常常组合使用(参考1:日本公开特许公报编号2001-324958和参考2:日本公开特许公报编号2001-343933)。此外,在一些情况中,使用区域灰度级方法(参考3:日本公开特许公报编号2001-125526)。
另一方面,开发了清晰显示图像和字符的像素配置(参考4:日本专利公开编号:2005-062416)。一般来说,采用三角形阵列或条形阵列作为像素配置;但是在参考4中,采用六边形像素配置。
发明内容
然而,当采用六边形像素配置时难以为每种颜色形成像素。具体来说,在有机EL元件的情况中,因为对应于每种颜色淀积一个有机层,所以在此类复杂结构的情况中,有机层淀积得不是很好。
针对上述问题,本发明的目的在于提出一种显示装置,其中可以利用简单像素配置,根据需要更改显示方法。
本发明的一个特征是一种显示装置,包括:第一显示区域;第二显示区域;以及第三显示区域;其中在第一、第二和第三区域中,显示相同颜色;在第一状态下,像素包括第一显示区域和第二显示区域;其中在第二状态下,像素包括第二显示区域和第三显示区域;以及第一显示区域的面积等于第三显示区域的面积。
本发明的另一个特征是在上述的显示装置中,像素通过选择包括在像素中的显示区域来发光以表示灰度级。
注意在本发明中可以使用多种晶体管。因此,可应用于本发明的晶体管不限于特定类型。由此,本发明可以采用如薄膜晶体管(TFT)的晶体管,它使用以非晶硅或多晶硅为代表的非单晶半导体薄膜。由此,制造可以在低制造温度、低成本下完成,装置可以在大基板或透明基板上形成,或者晶体管可以传导光。还可以使用利用半导体基板或SOI基板等形成的MOS晶体管、结型晶体管、双极晶体管。由此,可以形成变化小的晶体管、电流供电能力高的晶体管或尺寸小的晶体 管,或者可以获得功耗小的电路。此外,还可以应用利用如ZnO、a-InGaZnO、SiGe或GaAs的复合半导体形成的晶体管、及其薄膜晶体管等。由此,制造可以在低制造温度或室温下完成,或者可以直接在如塑料基板或薄膜基板的低耐热基板上形成。还可以使用通过喷墨方法或印刷方法获得的晶体管。由此,在室温或低真空度条件下制造或利用大基板制造是可能的。因为在无掩模(丝网)的制造是可能的,所以可以容易地更改晶体管的布局。还可以应用使用有机半导体或纳米碳管的晶体管或其他晶体管。由此,可以在柔性基板上形成此类晶体管。在使用非单晶半导体薄膜的情况中,它可以含有氢或卤素。此外,形成晶体管的基板不限于特定类型,还可以使用多种类型的基板。因此,晶体管可以形成在单晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、纸基板、玻璃纸基板、石质基板、不锈钢基板、含不锈钢片的基板等上。或者,在将晶体管形成于某种基板上之后,可以将该晶体管转移到另一个基板。使用此类基板,可以形成具有良好特征的晶体管或功耗低的晶体管,或者可以制造不易脆装置或耐热装置。
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