[发明专利]半导体器件结终端结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构，该结构包括：

一个或多个有源器件区域；

由重掺杂浓度的第一导电类型区和轻掺杂的第二导电类型区构成的双层掺杂区，所述的第一导电类型区由器件上表面向下延伸至第一深度位置，第二导电类型区由第一深度位置向下延伸至第二深度位置。

由轻掺杂的第二导电类型区构成的单层掺杂区，所述的第二导电类型区由器件上表面向下延伸至第二深度位置。

所述的双层掺杂区或单层掺杂区，与沟槽区由内向外交替紧密排列，构成无间断的横向多层结构，包围着所述的有源器件区域；

所述的横向多层结构的最外围为所述的双层掺杂区或单层掺杂区，其通过介质层与沟道截止区进行电压耦合。

所述的双层掺杂区、单层掺杂区和沟槽区，电位均浮空。

2.如权利要求1所述的结构，其中：

第一导电类型区和第二导电类型区的导电类型相反。

3.如权利要求1所述的结构，其中：

浮空双层掺杂区中的第一导电类型区为重掺杂区，其在电场中可以等效为一个导体，表现出静电屏蔽效应。

4.如权利要求1所述的结构，其中：

浮空沟槽区填充物为导电材料，在电位上浮空，其与浮空双层掺杂区、浮空单层掺杂区、以及与具有第一导电类型的外延层之间，通过介质层进行隔离。

5.如权利要求1所述的结构，进一步包括：

浮空沟槽区填充物为电介质材料。

6.如权利要求5所述的结构，进一步包括：

其中该电介质材料含有一定的固定电倚。

7.如权利要求1所述的结构，进一步包括：

在所述的有源器件区域与所述的横向多层结构之间，包含一个器件有源区域一结终端的过渡区。

8.如权利要求1所述的结构，进一步包括：

所述的横向多层结构与场板、场限环相结合，构成复合的结终端结构。

9.一种通过权利1形成的半导体器件。