[发明专利]数据写入方法、可复写式非易失性存储器控制器及系统有效

专利信息
申请号: 201010585052.1 申请日: 2010-12-08
公开(公告)号: CN102193747A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 辜芳立 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 中国台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 数据 写入 方法 复写 非易失性存储器 控制器 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于数据写入方法,尤其涉及一种数据写入方法、可复写式非易失性存储器控制器及系统。

背景技术

数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小与无机械结构等的特性,适合可携式应用,最适合使用于这类可携式由电池供电的产品上。随身碟就是一种以可复写式非易失性存储器作为储存媒体的储存装置。由于可复写式非易失性存储器体积小容量大,所以已广泛用于个人重要数据的储存。因此,近年可复写式非易失性存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

可复写式非易失性存储器储存装置中的存储器晶粒具有多个实体区块(physical block),且每一实体区块具有多个实体页面(physical page),其中在实体区块中写入数据时必须依据实体页面的顺序依序地写入数据。一般来说,写入数据至实体页面的程序可区分为数据传输(transfer)以及数据程序化(program)两个部分。具体来说,当欲在存储器晶粒的实体页面中储存数据时,可复写式非易失性存储器储存装置的控制电路首先会将数据传输至存储器晶粒内的缓冲区中。之后,存储器晶粒会将缓冲区内的数据程序化至页面中。在可复写式非易失性存储器储存装置的控制电路传输数据至存储器晶粒的期间,存储器晶粒是处于一传输状态。并且,当数据被程序化至实体页面的期间,存储器晶粒是处于一忙碌(busy)状态。

为了提升可复写式非易失性存储器储存装置的写入速度,可复写式非易失性存储器储存装置会配置多个存储器晶粒并且以交错方式或平行方式来写入数据。例如,以配置有经由一条数据输入输出总线与控制电路电性连接的第一与第二存储器晶粒的可复写式非易失性存储器储存装置为例,当主机系统欲在可复写式非易失性存储器储存装置中储存多页数据(即,数据长度为大于1个页面的数据)时,控制电路可将其中一页数据传输至第一存储器晶粒。之后,在第一存储器晶粒处于忙碌状态期间,控制电路可将另一页数据传输至第二存储器晶粒。接着,在第二存储器晶粒处于忙碌状态时,控制电路可将另一页数据传输至第一存储器晶粒,由此交错地将欲写入页数据传输至第一存储器晶粒与第二存储器晶粒,以缩短写入数据的时间。

特别是,当存储器晶粒处于传输状态或忙碌状态时,在存储器晶粒会需要电源以执行数据传输或数据程序化。然而,对于使用数据传输接口所提供的电力作为主要电源的随身碟来说,当多颗存储器晶粒一起作动(即,处于忙碌状态或传输状态)时,数据传输接口所提供的电力可能会不足而造成可复写式非易失性存储器储存装置的不稳定。

发明内容

本发明提供一种用于快闪存储器的数据写入方法,其能够避免可复写式非易失性存储器储存装置因数据传输接口所提供的电力不足而造成不稳定。

本发明提供一种可复写式非易失性存储器控制器,其所执行的数据写入方法能够避免可复写式非易失性存储器储存装置因数据传输接口所提供的电力不足而造成不稳定。

本发明提供一种可复写式非易失性存储器储存系统,其能够避免因数据传输接口所提供的电力不足而造成不稳定。

本发明范例实施例提出一种数据写入方法,用于将来自于主机系统的数据写入至可复写式非易失性存储器储存装置的多个存储器晶粒中,其中可复写式非易失性存储器储存装置的主机接口电性连接至主机系统的数据传输接口。本数据写入方法包括依据一信息判断主机系统的数据传输接口是相容于第一接口规格或第二接口规格。当主机系统的数据传输接口相容于第一接口规格时使用一般模式将数据写入至存储器晶粒中,并且当主机系统的数据传输接口相容于第二接口规格时使用第一省电模式或第二省电模式将数据写入至存储器晶粒中。在此,在一般模式中同时被作动的存储器晶粒的数目不大于第一数量并且所述存储器晶粒是作动在一第一运作频率中。在第一省电模式中同时被作动的存储器晶粒的数目不大于第二数量,其中第二数量小于第一数量。在第二省电模式中所述存储器晶粒是作动在第二运作频率中,其中第二运作频率小于第一运作频率。

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