[发明专利]基于表面等离子体共振腔的超深亚波长可调谐纳米光刻结构与方法无效
| 申请号： | 201010585229.8 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102053491A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王钦华;葛伟豪;曹冰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 表面 等离子体 共振 超深亚 波长 调谐 纳米 光刻 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种基于表面等离子体效应的超深亚波长纳米光刻结构，所述光刻结构依次包括透明的上基底层、金属光栅层、光刻胶层和下基底层，其特征在于：在所述光刻胶层和下基底层之间设置有金属薄膜层，所述金属光栅层、光刻胶层和金属薄膜层一起构成表面等离子体的共振腔结构。
2. 根据权利要求1所述的基于表面等离子体效应的超深亚波长纳米光刻结构，其特征在于：所述金属光栅层的周期不超过3000nm，厚度不超过500nm。
3. 根据权利要求1所述的基于表面等离子体效应的超深亚波长纳米光刻结构，其特征在于：所述光刻胶层的厚度不超过80nm。
4. 根据权利要求1所述的基于表面等离子体效应的超深亚波长纳米光刻结构，其特征在于：所述金属薄膜层的厚度不小于5nm。
5. 一种基于表面等离子体效应的超深亚波长纳米光刻方法，其特征在于：采用权利要求1所述的光刻结构进行光刻，入射光通过上基底层和金属光栅层后，在光刻胶层上曝光，获得光刻图像。
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