[发明专利]倒角基板布线方法

说明书

技术领域

本发明总体涉及一种用于应用于电子学、光学或者光电子学领域中的基板的制造。

背景技术

在所应用的各种制造方法中，会提及使用结合步骤和层转移步骤的方法。下面描述这种方法的一个例子。

根据这种方法，对任选地覆盖有对其进行包封的绝缘体层的第一所谓“供体基板(donor substrate)”进行原子和/或离子种类植入，而在该供体基板中产生弱化区。所述基板随后通过分子粘附结合到第二所谓“操作”基板，然后所述供体基板沿着该弱化区分成两部分，以使期望厚度的供体基板材料以及任选地绝缘体层(如果存在的话)转移到操作基板上。

在此转移之后，所述供体基板成为所谓的“负”残余板，而该操作基板成为所谓的“正”多层基板。

这种层转移方法能够制造尤其是公知的缩写为“SOI”的基板，“SOI”代表“硅绝缘体”，并且能以具有竞争力的成本来进行制造，不过要所述供体基板能被再循环。

附图1以截面图示意性示出了第一层转移后获取的负板的示例的一部分(这里为右侧)的形状。所述负板需要再循环以形成能够在上述制造方法中使用的新供体基板。

附图1示出了整体以标号1表示的负板，所述负板包括供体基板10，供体基板10具有所谓的“正”面101(因为其为与操作基板相接触的面)和相反的“背”面102。

供体基板10在其正面与背面上的环形外周区被倒角。最初，供体基板10被绝缘体层2完全覆盖，但在将在正面101与弱化区103之间延伸进入到所述基板的未倒角区的材料层分离以后，会发现负板包括未转移圆环104。

该未转移环104在分离边界105与基板的外边缘之间延伸，即靠近植入的倒角区。该未转移环104包括一部分绝缘体2a以及一部分硅106。例如未转移环104的厚度可达到几百纳米，并且宽度约为1至3毫米。未转移环104的存在与供体基板的倒角部分未与操作基板充分粘附并因此未被转移有关。

根据现有技术执行的再循环包括：

-除去全部的绝缘体层2，也就是除去背面和边缘上存在的绝缘体2a；

-除去剩余的硅环106以消除台阶形轮廓；

-在基板的整个正面侧上移除至少与通过植入损坏的厚度相当的厚度的硅；

-将所述负板的正面磨光，以便恢复称为“镜面抛光”的表面状态，例如执行本领域普通技术人员公知的缩写为“CMP”的化学机械抛光。

该再循环例如可以根据文献EP 1 156 531中描述的方法实施，该方法包括执行例如通过在酸浴中蚀刻对负板进行去氧的步骤、磨削晶片最边缘的步骤以及最后的磨光植入表面的步骤。

在实践中，人们发现仅移除基板正面上的材料的设备不能移除规则厚度。为此，优选地使用对负板进行双面抛光的设备，该设备导致在供体基板的每个面上均移除接近5μm的材料。

上述再循环方法具有许多缺陷，具体地说即：

-由于存在至少两个，甚至三个抛光步骤因此需要昂贵且庞大的设备，该设备维护困难，并由于消耗品例如抛光泥浆和抛光垫的高消耗，产生高成本。

-方法复杂。

-每次执行再循环时以约10μm的较大程度移除材料，这迅速导致获取的基板太薄因此太易碎，尤其是在几个再循环周期以后。这种基板因此不再符合SEMI规格，因此不能再次使用，尤其是作为操作基板使用。

-最后，另一个缺点在于植入但未结合的圆环在进行退火处理以分离来自供体基板的层期间至少局部变差。这造成冒泡现象，冒泡现象产生很多颗粒，这些颗粒不但会污染正板也会污染随后用于这些晶片的各种处理的设备，尤其是用于在分离后进行清洗的设备。

文献WO 2005/038903描述了通过组装两个倒角晶片来进行活性层转移。为防止未结合晶片边缘以失控方式破裂并造成其它表面存在颗粒，建议除去活性层的边缘区。因为该步骤非常复杂，文件WO 2005/038903建议在将这两个晶片结合在一起之前沿其中一个晶片中的外周部进行布线。

附图2以截面图非常示意地示出了SOI型供体基板的一部分在如文献WO2005/038903中所述在结合之前经过布线处理之后理论上应具有的形状。

与图1中相同的元件具有相同的附图标号。

可以看出，去除了在正面上延伸的外周环形区中的绝缘体层2以及供体基板10的材料层的一部分，去除的宽度至少相当于倒角区的宽度，去除的厚度至少等于植入区的深度。由弱化区界定的活性层具有附图标号107。

例如，通过蚀刻进行去除。