[发明专利]大功率LED封装结构无效
申请号: | 201010585422.1 | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN102569591A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 解晓锋;郑健;薛向令 | 申请(专利权)人: | 西安新大良电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62;H01L33/58 |
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地址: | 710065 陕西省西安市高新区*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 led 封装 结构 | ||
1.一种大功率LED封装结构,包括基板(1)、AuSn(2)LED发光芯片(3)、封装镜(4)、电极引脚(5)、塑料支架(6)、金属导热电极(7)、金属连接体(8)、散热件(9)、,其特征在于所述的基板(1)上通过AuSn(2)固定有LED发光芯片(3),以及设置在LED发光芯片(3)上方的封装镜(4)。
所述的LED发光芯片(3)连接有电极引脚(5);
所述塑料支架(6)位于基板(1)的下方;
所述塑料支架(6)下方设有LED金属导热电极(7)和位于LED金属导热电极(7)下方的金属连接体(8),以及设置的金属连接体(8)下方的散热件(9)。
2.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于:所述的封装镜(4)将LED发光芯片(3)包覆。
3.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于:所述的封装镜(4)采用玻璃材质做成。
4.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于:所述的封装镜(4)可以是透镜或棱镜或反射镜。
5.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于:所述的AuSn(2)温度的多少要根据金和锡的比例来定。
6.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于:所述的电极引脚(5)一端通过导线(10)与LED发光芯片(3)连接。
7.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于:所述的金属连接体(8)的材料是铜、铝、或者合金。
8.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于:所述的金属连接体(8)和散热件(9)是通过销连接。
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