[发明专利]高电压发光二极管无效
申请号: | 201010586140.3 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102543974A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 彭晖;闫春辉;郭文平;柯志杰 | 申请(专利权)人: | 亚威朗光电(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/62;H01L33/44;H01L33/42;H01L33/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314305 浙江省海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 发光二极管 | ||
1.一种高电压发光二极管,包括:生长衬底、打线焊盘区域、至少两个发光二极管单元和连接电极;所述的打线焊盘区域包括N-打线焊盘和P-打线焊盘,所述的N-打线焊盘和所述的P-打线焊盘互相分离;所述的连接电极包括多个条形电极,所述的条形电极把所述的N-打线焊盘、多个所述的发光二极管单元和所述的P-打线焊盘形成串联形式的电连接;所述的发光二极管单元包括依次形成在所述的生长衬底上的外延层、透明电极、钝化层;所述的外延层包括依次形成的N-类型限制层、活化层和P-类型限制层;所述的透明电极覆盖所述的P-类型限制层;其特征在于:
每个所述的发光二极管单元的所述的半导体外延层上形成至少一个半导体外延层平台,所述的半导体外延层平台的底面露出所述的N-类型限制层;
所述的钝化层覆盖所述的打线焊盘区域、每个所述的发光二极管单元的所述的透明电极、所述的半导体外延层的侧面、所述的半导体外延层平台的侧面和底面和所述的发光二极管单元之间的生长衬底;
所述的钝化层中包括多个窗口,所述的窗口包括N-窗口、P-窗口;每个所述的发光二极管单元的所述的半导体外延层平台底面的上方的所述的钝化层中形成至少一个所述的N-窗口,使得所述的N-窗口的底面露出所述的N-类型限制层;每个所述的发光二极管单元的所述透明电极的上方的所述的钝化层中形成至少一个所述的P-窗口,使得所述的P-窗口的底面露出所述的透明电极;
至少一个所述的窗口形成在所述的打线焊盘区域的上方的所述的钝化层中,使得所述的窗口的底面露出所述的生长衬底;所述的N-打线焊盘和P-打线焊盘通过所述的窗口分别形成在所述的打线焊盘区域的预定位置上;
至少一个所述的发光二极管单元的所述的N-类型限制层通过至少一条形成在所述的N-窗口中的所述的条形电极与所述的N-打线焊盘形成电连接;至少一个所述的发光二极管单元的所述的透明电极通过至少一条形成在所述的P-窗口中的所述的条形电极与所述的P-打线焊盘形成电连接。
2.根据权利要求1的高电压发光二极管,其特征在于:所述的发光二极管单元的半导体外延层平台形成在所述的发光二极管单元的一侧或两侧或中间部分。
3.根据权利要求1的高电压发光二极管,其特征在于:所述的发光二极管单元的P-窗口形成在所述的发光二极管单元的一侧或两侧或中间部分。。
4.根据权利要求1的高电压发光二极管,其特征在于:每个所述的发光二极管单元的形成在N-窗口中的条形电极与形成在P-窗口中的条形电极互相平行。
5.根据权利要求1的高电压发光二极管,其特征在于:所述的条形电极的连接两个所述的发光二极管单元的部分的宽度大于所述的条形电极在N-窗口中和P-窗口中的部分的宽度。
6.根据权利要求1的高电压发光二极管,其特征在于:还包括阵列形式排列的微结构,所述的微结构形成在所述的透明电极或所述的钝化层的表面上。
7.根据权利要求1的高电压发光二极管,其特征在于:所述的微结构的形状为圆柱形、圆锥形、棱锥形、半球形或球冠形。
8.根据权利要求1的高电压发光二极管,其特征在于:所述的发光二极管单元的形状包括:正方形或长方形或正三角形或菱形或正六边形或它们的组合。
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