[发明专利]多接面III-V族光电池元件

权利要求书

1.一种多接面III-V族光电池元件，包括：

一基板结构包括一重掺杂锗基部区域、一轻掺杂磊晶成长锗层设置于该重掺杂锗基部区域上、及一相反极性的重掺杂区设置于该轻掺杂磊晶成长锗层的表面，其中该轻掺杂磊晶成长锗层和该相反极性的重掺杂区之间形成一浅接面；以及

一多接面堆栈电池结构，设置于该基板结构上。

2.根据权利要求1所述的多接面III-V族光电池元件，其中还包括：

一第一金属接触层设置于该基板结构的背面；以及

一第二金属接触层设置于该多层堆栈电池结构的一顶部。

3.根据权利要求1所述的多接面III-V族光电池元件，其中该基板结构包括一底电池元件，且该多接面堆栈电池结构包括一中间电池元件和一顶电池元件。

4.根据权利要求3所述的多接面III-V族光电池元件，其中还包括一第一穿隧接面夹置于该顶电池元件和该中间电池元件之间，及一第二穿隧接面夹置于该中间电池元件和该底电池元件之间。

5.根据权利要求3所述的多接面III-V族光电池元件，其中该中间电池元件包含一GaAs电池元件，及该顶电池元件包含一InGaP电池元件。

6.根据权利要求1所述的多接面III-V族光电池元件，其中该重掺杂锗基部区域为一p⁺型掺杂的锗基板，且该轻掺杂磊晶成长锗层为一p型掺杂锗层。

7.根据权利要求1所述的多接面III-V族光电池元件，其中该重掺杂锗基部区域为一n⁺掺杂的锗基板，且该轻掺杂磊晶成长锗层为一n型掺杂锗层。

8.一种多接面III-V族光电池元件，包括：

一p⁺掺杂的锗基板，在其正面磊晶成长一p型掺杂锗层，其中一n⁺型掺杂区设置于该p型掺杂锗层的表层，以形成一浅n⁺-p型接面；

一GaAs次电池元件设置于该n⁺型掺杂区上方；以及

一InGaP次电池元件设置于该GaAs次电池元件上方，

其中一第一穿隧接面夹置于该InGaP次电池元件和该GaAs次电池元件之间，及一第二穿隧接面夹置于该GaAs次电池元件和该n⁺型掺杂区之间。

9.根据权利要求8所述的多接面III-V族光电池元件，其中还包括；

一第一金属接触层设置于该p⁺掺杂的锗基板的背面；以及

一第二金属接触层设置于该InGaP次电池元件的顶部。

10.一种多接面III-V族光电池元件，包括：

一n⁺掺杂的锗基板，在其正面磊晶成长一n型掺杂锗层且一第一金属接触层设置于该n⁺掺杂的锗基板的背面，其中一p⁺型掺杂区，设置于该n型掺杂锗层的表层，以形成一浅p⁺-n型接面；

一GaAs次电池元件设置于该p⁺型掺杂区上方；

一InGaP次电池元件设置于该GaAs次电池元件上方；以及

一第二金属接触层设置于该InGaP次电池元件的顶部，

其中一第一穿隧接面夹置于该InGaP次电池元件和该GaAs次电池元件之间，及一第二穿隧接面夹置于该GaAs次电池元件和该InGaP次电池元件之间。