[发明专利]一种MOS型功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)于一半导体基体上形成第一氧化层；

(2)于第一层氧化层之上形成多晶硅层；

(3)于所述多晶硅层两侧形成阻挡层；

(4)于所述半导体基体上形成第一导电类型阱区；

(5)去除阻挡层，于第一导电类型阱区内形成第二导电类型源区；

(6)在多晶硅层之上形成第二氧化层；

(7)在源区和阱区表面上形成第一金属层；

(8)在所述半导体基体的背面形成背面电极。

2.根据权利要求1中所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述步骤(4)具体为：以氧化层、多晶硅和阻挡层为掩膜，对半导体基体进行10¹³/cm²至10¹⁵/cm²剂量的阱区离子注入。

3.根据权利要求1中所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述步骤(3)具体为：将第一氧化层以及多晶硅层位于半导体基体的两侧的部分进行去除，然后于剩余部分的第一氧化层以及多晶硅层上覆盖阻挡材料层，对位于半导体基体的两侧的阻挡材料层部分进行去除，形成两侧的阻挡层。

4.根据权利要求1中所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述第一导电类型阱区包括自半导体基体表面向下延伸并相互隔开的第一导电类型第一阱区和第一导电类型第二阱区；所述第二导电类型源区包括自第一导电类型第一阱区的表面相下延伸的第二导电类型第一源区，以及自第一导电类型第二阱区的表面向下延伸的第二导电类型第二源区。

5.根据权利要求1中所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：位于多晶硅两侧的阻挡层宽度相等。

6.根据权利要求1所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述背面电极包括背面电极半导体层以及在背面电极半导体层下表面形成的第二金属层。

7.根据权利要求5所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述的半导体基体掺杂类型为N型，所述的背面电极半导体层为N型，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

8.根据权利要求5所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述的半导体基体掺杂类型为N型，所述的背面电极半导体层为P型，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

9.一种MOS型功率器件，其特征在于，由下至上包括：第二金属层、背面电极半导体层、半导体基体、第一氧化层、多晶硅层、第二氧化层、第一金属层；其中半导体基体设有第二导电类型源区和第一导电类型阱区，所述的第一导电类型阱区的沟道长度与阱深的比值大于0小于等于0.7。

10.根据权利要求9中所述的一种MOS型功率器件，其特征在于：所述第一导电类型阱区包括自半导体基体表面向下延伸并相互隔开的第一导电类型第一阱区和第一导电类型第二阱区；所述第二导电类型源区包括自第一导电类型第一阱区的表面相下延伸的第二导电类型第一源区，以及自第一导电类型第二阱区的表面向下延伸的第二导电类型第二源区。

11.根据权利要求9所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述背面电极包括背面电极半导体层以及在背面电极半导体层下表面形成的第二金属层。

12.根据权利要求11所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述的半导体基体掺杂类型为N型，所述的背面电极半导体层为N型，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

13.根据权利要求11所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述的半导体基体掺杂类型为N型，所述的背面电极半导体层为P型，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。