[发明专利]室温下一锅法制备高质量水相半导体纳米晶的方法有效
| 申请号： | 201010586447.3 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102071453A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张皓;周鼎;韩吉姝;杨柏 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/48;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 室温 一锅 法制 质量 半导体 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.室温下“一锅法”制备高质量水相半导体纳米晶的方法，其特征在于：在室温下敞开体系中加入镉盐，然后用水溶解，再依次加入巯基小分子、离子型碲源和/或离子型硒源，再加入NaBH4，最后在反应体系中加入浓度为50wt％～85wt％的N2H4·H2O溶液或浓度为25wt％～28wt％的氨水溶液，在室温下放置1.5～3小时后，即得到半导体纳米晶溶液；反应体系中，镉盐的浓度为1.0×10-4～3.0×10-2mol/L，镉盐、离子型碲源和/或离子型硒源、巯基小分子、NaBH4、氨类化合物的摩尔比为1∶0.1～0.8∶1.5～2.4∶1～132.3∶5000～120000。
2.如权利要求1所述的室温下“一锅法”制备高质量水相半导体纳米晶的方法，其特征在于：离子型碲源是Na2TeO3。
3.如权利要求1所述的室温下“一锅法”制备高质量水相半导体纳米晶的方法，其特征在于：离子型硒源是Na2SeO3。
4.如权利要求1所述的室温下“一锅法”制备高质量水相半导体纳米晶的方法，其特征在于：巯基小分子是巯基乙酸、巯基丙酸、巯基甘油、巯基乙胺、谷胱甘肽或L-半胱氨酸。
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