[发明专利]信号放大电路无效
申请号: | 201010586642.6 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102006020A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 石万文;陈志明;张周平;江石根;杜坦 | 申请(专利权)人: | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人: | 孙东风 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信号 放大 电路 | ||
1.一种信号放大电路,其特征在于,所述信号放大电路包括第一电流镜、电流放大模块和第二电流镜,待放大信号依次经第一电流镜、电流放大模块和第二电流镜处理后,得到放大后的信号。
2.根据权利要求1所述的信号放大电路,其特征在于,所述待放大信号是经一电容藕合后再输入该信号放大电路中的。
3.根据权利要求1所述的信号放大电路,其特征在于,所述第一电流镜包括第一、二NMOS管;第二电流镜包括第三、四NMOS管;电流放大模块为电流镜结构,其包括第一、二PMOS管;
第一、二、三、四NMOS管的源极接地,第一、二NMOS管的栅极接第一NMOS管的漏极,第二NMOS管的漏极接第一PMOS管的漏极、第三、四NMOS管的栅极接第三NMOS管的漏极,第三NMOS管的漏极接第二PMOS管的漏极,第一、二PMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极连接,第一、二PMOS管的源极接VDD,第四NMOS管的漏极接第三电阻一端,该第三电阻另一端接VDD,第一NMOS管的漏极与第一电阻和一第二电阻连接,第一电阻另一端接电容一端,电容另一端接入待放大信号,第二电阻另一端接第四NMOS管的漏极。
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