[发明专利]用于MRI磁体的整体式电子RF防护装置

权利要求书

1.一种用于成像系统(10)的整体式电子系统，包括：

磁体结构，包含：

超导磁体；以及

RF线圈装置；

从外部与所述磁体结构(13)相连的外壳(40)，所述外壳(40)包含具有控制器的成像系统支持电子组件(42)，所述成像系统支持电子组件与所述RF线圈装置隔离；和

射频防护物(48)，其与所述外壳(40)相连，并防止所述成像系统支持电子组件(42)和所述RF线圈装置(20)之间的射频干涉，其中所述射频防护物(48)包围所述成像系统支持电子组件(42)。

2.根据权利要求1所述的整体式电子系统，其中所述射频防护物(48)连接于所述外壳(40)内。

3.根据权利要求1所述的整体式电子系统，其中所述射频防护物(48)包含至少一层(54)。

4.根据权利要求3所述的整体式电子系统，其中所述至少一层包括：

第一层；以及

与所述第一层耦合的第二层，所述第一层和第二层之间具有电容。

5.根据权利要求1所述的整体式电子系统，其中所述射频防护物(48)是导电网格。

6.根据权利要求1所述的整体式电子系统，其中所述射频防护物(48)包括至少一个孔(60)。

7.根据权利要求1所述的整体式电子系统，其中所述射频防护物(48)反射射频。

8.一种成像系统，包括：

产生至少一个磁场的磁体结构(13)，包含：

超导磁体；

梯度线圈装置；以及

RF线圈装置；

从外部与所述磁体结构(13)相连并且包含具有控制器的成像系统支持电子组件(42)的第一外壳(40)，所述成像系统支持电子组件与所述RF线圈装置隔离；以及

射频防护物(48)，其与所述外壳(40)相连，并防止所述至少一个磁场和所述成像系统支持电子组件(42)之间的射频干涉，其中所述射频防护物(48)包围所述成像系统支持电子组件(42)。

9.根据权利要求8所述的成像系统，还包括包含所述磁体结构(13)的第二外壳(44)，其中所述第一外壳(40)和所述第二外壳(44)整体形成为一个外壳。

10.一种成像系统，包括：

具有成像系统支持电子组件的第一外壳，所述成像系统支持电子组件包括射频放大器、梯度放大器、定时装置、振荡器、射频发射器、梯度线圈控制器以及序列控制器中的至少一个，其中所述成像系统支持电子组件与至少一个射频接收器线圈隔离；

与所述第一外壳整体形成并且包含磁体结构的第二外壳，所述磁体结构与所述第一外壳分离，产生至少一个磁场，并且包含：

超导磁体；

梯度线圈装置；和

所述至少一个射频接收器线圈；以及

射频防护物，其与所述第一外壳相连，并防止所述成像系统支持电子组件与所述至少一个射频接收器线圈之间的射频干涉，其中所述射频防护物包围所述成像系统支持电子组件。