[发明专利]一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路无效

专利信息
申请号: 201010586675.0 申请日: 2010-12-14
公开(公告)号: CN102082539A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 王永成;党源源;徐抒岩;宋克非 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H02P8/14 分类号: H02P8/14
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 南小平
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 航天 内阻 步进 电机 频率 电路
【权利要求书】:

1.一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路,其特征在于,该电路包括微控制器或可编程逻辑器件(1)、功率MOSFET驱动器(2)、功率MOSFET(3)、步进电机(4)和续流二极管(5);

所述微控制器或可编程逻辑器件(1)与所述功率MOSFET驱动器(2)连接,用于产生步进电机(4)的控制信号来控制功率MOSFET驱动器(2);

所述功率MOSFET驱动器(2)与所述功率MOSFET(3)的栅极连接,其输出信号控制功率MOSFET(3)的栅极;

所述功率MOSFET(3)的源极接地;

所述步进电机(4)绕组的一端与功率MOSFET(3)的漏极连接,另一端与供电电源连接;

所述续流二极管(5)与步进电机(4)并联,用于当步进电机(4)的绕组电流有突变时为其续流。

2.如权利要求1所述的一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路,其特征在于,当所述功率MOSFET驱动器(2)的输出信号为高电平时,功率MOSFET(3)处于深度饱和状态;当所述功率MOSFET驱动器(2)的输出信号为低电平时,功率MOSFET(3)处于截止状态。

3.如权利要求1所述的一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路,其特征在于,所述微控制器或可编程逻辑器件(1)为80C31或CPLD或FPGA,所述功率MOSFET驱动器(2)是型号为ICL7667的驱动器,所述功率MOSFET(3)是型号为JANS2N6798的金属氧化层半导体场效晶体管。

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