[发明专利]一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路无效
申请号: | 201010586675.0 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102082539A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 王永成;党源源;徐抒岩;宋克非 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H02P8/14 | 分类号: | H02P8/14 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 南小平 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 航天 内阻 步进 电机 频率 电路 | ||
1.一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路,其特征在于,该电路包括微控制器或可编程逻辑器件(1)、功率MOSFET驱动器(2)、功率MOSFET(3)、步进电机(4)和续流二极管(5);
所述微控制器或可编程逻辑器件(1)与所述功率MOSFET驱动器(2)连接,用于产生步进电机(4)的控制信号来控制功率MOSFET驱动器(2);
所述功率MOSFET驱动器(2)与所述功率MOSFET(3)的栅极连接,其输出信号控制功率MOSFET(3)的栅极;
所述功率MOSFET(3)的源极接地;
所述步进电机(4)绕组的一端与功率MOSFET(3)的漏极连接,另一端与供电电源连接;
所述续流二极管(5)与步进电机(4)并联,用于当步进电机(4)的绕组电流有突变时为其续流。
2.如权利要求1所述的一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路,其特征在于,当所述功率MOSFET驱动器(2)的输出信号为高电平时,功率MOSFET(3)处于深度饱和状态;当所述功率MOSFET驱动器(2)的输出信号为低电平时,功率MOSFET(3)处于截止状态。
3.如权利要求1所述的一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路,其特征在于,所述微控制器或可编程逻辑器件(1)为80C31或CPLD或FPGA,所述功率MOSFET驱动器(2)是型号为ICL7667的驱动器,所述功率MOSFET(3)是型号为JANS2N6798的金属氧化层半导体场效晶体管。
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