[发明专利]传感器设备及其方法

权利要求书

1. 一种传感器设备，其包括：

金属氧化物半导体(“MOS”)传感器，其包括气敏表面，所述气敏表面通常具有对于第一种可燃气体的第一灵敏度和对于第二种不同的可燃气体的第二灵敏度；和

布置在所述气敏表面上的选择性灵敏度增进层，以使所述第一灵敏度提高，而所述第二灵敏度基本保持不变。

2. 权利要求1所述的传感器设备，其中所述选择性灵敏度增进层是厚度为0.5～100微米的含硅化合物层。

3. 权利要求2所述的传感器设备，其中所述厚度是1～20微米。

4. 权利要求1所述的传感器设备，其中所述选择性灵敏度增进层是二氧化硅层。

5. 权利要求1所述的传感器设备，其中所述气敏表面包含氧化锡。

6. 权利要求1所述的传感器设备，其中所述选择性灵敏度增进层是含硅化合物层，并且其紧邻所述气敏表面，并且与所述气敏表面相接触。

7. 权利要求1所述的传感器设备，其中所述选择性灵敏度增进层是厚度为1～20微米的二氧化硅，并且所述气敏表面包含氧化锡。

8. 一种使用传感器设备的方法，所述传感器设备具有包括气敏表面的金属氧化物半导体(“MOS”)传感器，所述气敏表面具有对于第一种可燃气体的第一灵敏度和对于第二种不同的可燃气体的第二灵敏度，所述方法包括：

在所述气敏表面上形成选择性灵敏度增进层，来提高第一灵敏度，并且使得第二灵敏度基本保持不变。

9. 权利要求8所述的方法，其包括形成作为有机硅化合物的反应产物的选择性灵敏度增进层，所述有机硅化合物选自：聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚环氧烷硅氧烷、苯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、二苯基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物及其组合。

10. 权利要求8所述的方法，其包括将包括有机硅化合物和载液的溶液沉积成均匀层，除去所述载液，并将所述有机硅化合物氧化成含硅化合物。

11. 权利要求8所述的方法，其包括形成这样的选择性灵敏度增进层，所述增进层是厚度为1～20微米的含硅化合物层。

12. 一种传感器设备，其包括：

具有气敏表面的金属氧化物半导体(“MOS”)传感器；和

布置在所述气敏表面上的含硅化合物层。

13. 权利要求12所述的传感器设备，其中所述含硅化合物层是有机硅化合物的反应产物，所述有机硅化合物选自：聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚环氧烷硅氧烷、苯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、二苯基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物及其组合。

14. 权利要求12所述的传感器设备，其中所述气敏表面包含氧化锡，所述含硅化合物层的厚度是1～20微米。

15. 权利要求12所述的传感器设备，其中所述含硅化合物层紧邻所述气敏表面，并且与所述气敏表面相接触。