[发明专利]半导体发光芯片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光芯片及其制造方法，特别是指一种半导体发光芯片及其制造方法。

背景技术

发光二极管作为一种新兴的光源，目前已广泛应用于多种场合之中，并大有取代传统光源的趋势。

发光二极管中最重要的元件为发光芯片，其决定了发光二极管的各种出光参数，如强度、颜色等。现有的发光芯片通常是由依次生长在蓝宝石基板的N型半导体层、发光层及P型半导体层所组成。通过外界电流的激发，发光芯片的N型半导体层的电子与P型半导体层的空穴在发光层复合而向外辐射出光线。

由于在向外辐射光线的同时，电子与空穴结合同样也会产生相当的热量。这些热量会对发光芯片的发光造成不良影响，造成输出光强减少甚至于缩短发光芯片的寿命。业界为克服此问题提出了多种解决方法，最典型的如金属基板键合技术、发光芯片倒装技术、芯片垂直导通技术等等。然后，现有的这些方法对于发光芯片的散热效果仍然有限，难以满足大功率发光芯片的散热需求。

发明内容

因此，有必要提供一种散热效率较高的半导体发光芯片及其制造方法。

一种半导体发光芯片，包括基板及与基板连接的磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，基板与磊晶层之间具有导热层，导热层包括碳纳米管。

一种半导体发光芯片的制造方法，包括步骤：1)提供基板；2)在基板表面形成碳纳米管；3)在基板上形成磊晶层而使碳纳米管位于二者之间，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层。

该半导体发光芯片在其磊晶层及基板之间形成的碳纳米管具有较高的热传导系数，因此磊晶层所发出的热量可被碳纳米管有效地进行传输，从而确保发光芯片的正常工作。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明第一实施例的半导体发光芯片的结构示意图。

图2为本发明第二实施例的半导体发光芯片的结构示意图。

图3为本发明第三实施例的半导体发光芯片的结构示意图。

图4为本发明第四实施例的半导体发光芯片的结构示意图。

主要元件符号说明

  基板 10  导热层 20  碳纳米管 22  催化层 24  保护层 30  磊晶层 40  开槽 400  第一半导体层 42  发光层 44  第二半导体层 46  接合层 50  第一透明导电层 60  第二透明导电层 62  第一电极 70  第二电极 72  导通层 80