[发明专利]半导体发光芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光芯片，包括基板及与基板连接的磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，其特征在于：基板与磊晶层之间还具有导热层，该导热层包括竖向生长的碳纳米管。

2.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：导热层还包括催化层，催化层在基板表面形成多个间隔的区域，碳纳米管从催化层顶面进行竖向生长。

3.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：还包括连接磊晶层及碳纳米管的接合层。

4.如权利要求3所述的半导体发光芯片，其特征在于：第一半导体层底部及第二半导体层顶部分别形成第一透明导电层及第二透明导电层。

5.如权利要求4所述的半导体发光芯片，其特征在于：第一透明导电层与接合层之间具有导通层，该导通层由反射材料制成。

6.如权利要求4所述的半导体发光芯片，其特征在于：还包括在第二透明导电层顶面形成的第二电极。

7.如权利要求6所述的半导体发光芯片，其特征在于：还包括在基板底面形成的第一电极，基板由导电材料制成。

8.如权利要求7所述的半导体发光芯片，其特征在于：还包括第一电极，半导体发光芯片表面开设深入到第一半导体层的开槽，第一电极位于开槽内的第一半导体层上，第一电极通过穿孔与第一透明导电层连接。

9.一种半导体发光芯片的制造方法，包括步骤：

1)提供基板；

2)在基板表面形成竖向生长的碳纳米管；

3)在基板的碳纳米管上连接磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层。

10.如权利要求9所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：步骤2)之前还包括在基板表面形成催化层的步骤，该催化层在基板表面形成多个间隔的区域，碳纳米管自催化层各间隔的区域的顶面竖向进行生长。

11.如权利要求9所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：磊晶层与碳纳米管之间还包括导通层，该导通层由高反射率的材料制成。

12.如权利要求11所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：导通层与第一半导体层之间还包括第一透明导电层，第二半导体层顶面具有第二透明导电层。

13.如权利要求12所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：第二透明导电层顶面形成有第二电极，基板底面形成有第一电极，基板由导电材料制成。

14.如权利要求12所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：第二透明导电层顶面形成有第二电极，半导体发光芯片表面开设深入到第一半导体层的开槽，开槽内的第一半导体层上形成第一电极，该第一电极通过穿孔与第一透明导电层连接。