[发明专利]一种交流发光二极管无效
申请号: | 201010587006.5 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102110705A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 何建波;易贤;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请(专利权)人: | 武汉迪源光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 交流 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,属于二极管领域。
背景技术
不论是家庭、工商业或公共用电,大多以交流电(Alternating Current,AC)的方式提供,主要是为了避免远距离的电力传送会有多余损耗,才采用交流电的方式输送到使用端,故电器必须设计成交流电驱动使用,否则会因电压不符而产生短路问题。
传统LED皆须以直流电(Direct Current,DC)作为驱动,因此在使用一般交流电作为电源供应的同时,必须附带整流变压器将AC/DC转换,才能确保LED的正常运作。而应用上一直强调LED省电的特性,但在AC/DC转换的过程中,其实有高达15~30%的电力耗损,使用上优势并不明显。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提供一种将AC电流经过转换,形成DC电流输出,并且可提升整片LED的发光效率的交流发光二极管。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种交流发光二极管,包括第一微晶粒、第二微晶粒、第三微晶粒、第四微晶粒,所述微晶粒包括衬底层、反射层、透明导电层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和钝化层,所述钝化层设在微晶粒表面和侧面,所述衬底层正面设有第一半导体层,所述衬底层底面设有反射层,所述透明导电层与第二半导体层连接,所述第一微晶粒的第一半导体区与第二微晶粒的第一半导体区电连接于节点A,第二微晶粒的第二半导体区与第四微晶粒的第一半导体区电连接于节点B,第四微晶粒的第二半导体区与第三微晶粒的第二半导体区电连接于节点C,第三微晶粒的第一半导体区与第一微晶粒的第二半导体区电连接于节点D,所述节点B和节点D为交流电输入端,所述节点A与节点C电连接。
本发明的有益效果是:本发明突破了微晶粒制备技术,在单颗1平方毫米左右的面积内阵列出若干个微晶粒,晶粒间采用串并联以提升工作电压和电流,同时与现有市电电压匹配,省略变压器使用,最终提升整片LED的发光效率。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述钝化层采用绝缘材料。
进一步,所述反射层采用铝或银,或多层交替的高折射率Ti3O5和低折射率SiO2材料组成的周期结构层加铝或银。
进一步,所述节点A与节点C通过由金属电极或若干个相互串联的微晶粒组成的微晶粒组电连接;所述微晶粒组中,相邻两个微晶粒之间通过其中一个微晶粒的第一半导体区与另一个微晶粒的第二半导体区电连接;所述节点C与所述微晶粒组中与其相连的微晶粒的第一半导体区电连接,所述节点A与所述微晶粒组中与其相连的微晶粒的第二半导体区电连接。
采用进一步的有益效果是,串联微晶粒可提升工作电压。
进一步,所述第一半导体区为P区,所述第二半导体区为N区。
进一步,所述第一半导体区为N区,所述第二半导体区为P区。
附图说明
图1为本发明所述实施例1的电路图;
图2为本发明所述实施例1的原理图;
图3为本发明所述实施例2的原理图;
图4为本发明所述的发光二极管的微晶粒结构图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的