[发明专利]用于≤20KV硅烷交联架空电缆的聚烯烃半导电复合物

权利要求书

1.一种用于≤20KV硅烷交联架空电缆的聚烯烃半导电复合物，其特征是包括基料A和含有π键的超导电母料B，基料A和含有π键的超导电母料B的重量比100∶20～40；所述的基料A中各组分及其重量配比为，聚烯烃树脂100份，第一抗氧剂3～6份，第一润滑剂1.0～3.0份，脂肪酸盐0.1～0.5份；所述的含有π键的超导电母料B中各组分及其重量配比为：聚烯烃树脂100份，第二抗氧剂1.0～5.0份，第二润滑剂1.0～3.0份，含有π键的超导电炭黑40～60份，制备工艺：混合均匀。

2.根据权利要求1所述的聚烯烃半导电复合物，其特征是基料A料中的聚烯烃树脂是乙烯--醋酸乙烯酯共聚物与线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯的混合物；乙烯--醋酸乙烯酯共聚物与线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯的重量比：(30-80)∶(40-0)∶(60-20)。

含有π键的超导电母料B料中的聚烯烃树脂是低密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯的一种或其混合物，如果使用二者混合物，则其重量配比为(75-25)∶(25-75)。

3.根据权利要求1所述的聚烯烃半导电复合物，其特征是第一抗氧剂为三(2，4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯；第一润滑剂选自聚乙烯蜡或含氟流变剂中的一种或其混合物，如果使用二者混合物，则其重量配比为(1-3)∶1；脂肪酸盐为脂肪酸锌、硬脂酸镁、硬脂酸钡中的一种或几种混合物，如果使用三者混合物，则其混合物中三者的重量配比为(1-3)∶(1-3)∶(1-3)。

4.根据权利要求1所述的聚烯烃半导电复合物，其特征是含有π键超导电炭黑为乙炔炭黑；第二抗氧剂选自四[β-(3，5-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯，四[β-(3，5-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯与三(2，4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯的混和物，二者比例为(1～3)∶1，第二润滑剂选自二甲基硅油或白油。

5.根据权利要求1的聚烯烃半导电复合物的制备工艺，其特征是该工艺的步骤分，1)制备基料A，首先按重量比取聚烯烃树脂100份，第一抗氧剂3～6份，第一润滑剂1.0～3.0份，脂肪酸盐0.1～0.5份于密闭混合机中进行施转混合，转速400～475转/分钟，混合时间5～15分钟，然后将物料放出，通过自动喂料机、双阶式混炼机BUSS机组中挤出造粒，粒料经离心脱水后，进入分子筛干燥器中进行深度干燥至其含水率≤200ppm，即得基料A；2)制备含有π键的超导电母料B，按重量比取聚烯烃树脂100份，第二抗氧剂1.0～5.0份，第二润滑剂1.0～3.0份，含有π键的超导电炭黑40～60份，分别倒入110立升密炼机密炼，然后经与密炼机配套的110立升双锥型混炼机混炼，最后经型号TE-75，L/D＝40的双螺杆挤出机挤出造粒得含有π键的超导电母料B；3)先将基料A和含有π键的超导电母料B按重量比100∶20～40在密闭混合器中混合，混合器转速采用400～475转/分钟，混合时间5～15分钟，将物料放出，并经□180的单螺杆挤出机挤出造粒得聚烯烃半导电复合物。

6.根据权利要求5所述的聚烯烃半导电复合物的制备方法，其特征是双阶式混炼挤出机BUSS机组，第一阶挤出温度控制为：加料段150℃，熔融段180～190℃，均化段190～210℃，第二阶造粒温度控制为190℃；所述密炼双锥混炼机为：110立升，密炼温度：170℃，密炼时间为：20～30分钟；密炼好的料自动输送进入双锥混炼机，混炼温度：150℃，时间：10-20分钟；所述型号TE-75，L/D＝40双螺杆挤出机，挤出温度为：加料段120℃，压缩段为145℃，均化段为155℃，机头口模部分170℃，挤出、风冷造粒；所述的高速混合器，是指100立升搅拌混合器，采用400～475转/分钟的转速运转，在混合机内混合时间：5～15分钟，温度：为常温；所述的单螺杆挤出机是：国产□180的挤出机，挤出温度分别为：加料段120℃，压缩段为140～160℃，均化段为160～170℃，机头口模部分190℃。