[发明专利]连续介质垂直磁记录盘及其制造方法

权利要求书

1.一种连续介质垂直磁记录盘，包括：

衬底；

衬层，在所述衬底上；

垂直磁记录层，在所述衬层上并包括Si、Ta、Ti和Nb中的一种或更多种的一种或更多种氧化物和颗粒铁磁Co合金的连续层；以及

有序成核层，在所述衬层和所述垂直磁记录层之间，所述有序成核层包括用于所述垂直磁记录层的所述Co合金的成核位点的有序阵列。

2.如权利要求1的连续介质垂直磁记录盘，其中所述有序成核层具有基本平坦表面。

3.如权利要求1的连续介质垂直磁记录盘，其中所述有序成核层还包括在所述成核位点之间且与所述成核位点邻接的非成核区域。

4.如权利要求3的连续介质垂直磁记录盘，其中所述非成核区域和邻接的成核位点的表面的高度差在1nm以内。

5.如权利要求3的连续介质垂直磁记录盘，其中所述非成核区域由氧化物或氮化物形成。

6.如权利要求5的连续介质垂直磁记录盘，其中所述非成核区域由Si的氧化物或氮化物形成。

7.如权利要求1的连续介质垂直磁记录盘，其中所述垂直磁记录层包括Si氧化物，且其中所述有序成核层包括含Ru的成核位点，所述含Ru的成核位点基本被Si氧化物围绕，且其中所述垂直磁记录层中的所述Co合金与所述有序成核层的所述成核位点接触，所述垂直磁记录层中的所述Si氧化物与所述有序成核层的所述Si氧化物接触。

8.如权利要求1的连续介质垂直磁记录盘，其中所述成核位点包含Ru。

9.如权利要求8的连续介质垂直磁记录盘，其中所述有序成核层还包括在所述成核位点之间且与所述成核位点邻接的非成核区域，所述非成核区域包含钌氧化物。

10.如权利要求1的连续介质垂直磁记录盘，其中所述成核位点是分子纳米结构。

11.如权利要求10的连续介质垂直磁记录盘，其中所述分子纳米结构是选自CdSe、CdTe、PbSe、FePt、FeO和Si构成的组的纳米晶体。

12.如权利要求10的连续介质垂直磁记录盘，其中所述分子纳米结构是选自富勒烯、多环芳烃和花青的分子的分子超结构。

13.如权利要求12的连续介质垂直磁记录盘，其中所述分子超结构是C60分子。

14.如权利要求1的连续介质垂直磁记录盘，其中所述衬层是导磁材料的软磁衬层，且其中所述有序成核层是所述软磁衬层和所述垂直磁记录层之间的交换中断层以用于防止所述软磁衬层和所述垂直磁记录层之间的磁交换耦合。

15.如权利要求14的连续介质垂直磁记录盘，还包括在所述软磁衬层和所述有序成核层之间的籽层。

16.一种连续介质垂直磁记录盘，包括：

衬底；

衬层，在所述衬底上；

垂直磁记录层，在所述衬层上并包括Si、Ta、Ti和Nb中的一种或更多种的一种或更多种氧化物和颗粒铁磁Co合金的连续层；以及

有序成核层，在所述衬层和所述垂直磁记录层之间并与所述垂直磁记录层接触，所述有序成核层包括用于所述垂直磁记录层的所述Co合金的成核位点的有序阵列和在所述成核位点之间并与所述成核位点邻接的非成核区域。

17.如权利要求16的连续介质垂直磁记录盘，其中所述有序成核层具有基本平坦表面。

18.如权利要求16的连续介质垂直磁记录盘，其中所述垂直磁记录层包括Si氧化物，且其中所述有序成核层包括含Ru的成核位点，所述含Ru的成核位点基本被Si氧化物围绕，且其中所述垂直磁记录层中的所述Co合金与所述有序成核层的所述成核位点接触，所述垂直磁记录层中的所述Si氧化物与所述有序成核层的所述Si氧化物接触。

19.如权利要求18的连续介质垂直磁记录盘，还包括在所述垂直磁记录层上并与所述垂直磁记录层接触的颗粒铁磁Co合金盖层。

20.如权利要求16的连续介质垂直磁记录盘，其中所述成核位点具有4和25nm之间的面内宽度以及8和25nm之间的面内中心到中心的间距。