[发明专利]金属前介质层的平坦化方法无效
| 申请号： | 201010587500.1 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102543670A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;杨涛;李春龙;张浩;宋希明;赵玉印 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 介质 平坦 方法 | ||
1.一种金属前介质层的平坦化方法，其特征在于，包括：
对具有凸凹结构的金属前介质层PMD表面进行大倾角离子注入；
利用湿法刻蚀的方法对离子注入后的PMD表面进行平坦化处理。
2.根据权利要求1所述的金属前介质层的平坦化方法，其特征在于，所述离子的注入倾角θ为0～90度。
3.根据权利要求2所述的金属前介质层的平坦化方法，其特征在于，所述离子的注入倾角θ为arctan(H1/L2)～arctan(H1/L3)，其中，H1为所述PMD凸结构与凹结构之间的高度差值，L2为所述PMD下部相邻栅极的间距，L3为所述PMD相邻凸结构之间的间距。
4.根据权利要求1所述的金属前介质层的平坦化方法，其特征在于，所述离子为BF2、P及Ar中的一种。
5.根据权利要求1所述的金属前介质层的平坦化方法，其特征在于，所述离子的注入能量范围为30～810Kev。
6.根据权利要求1所述的金属前介质层的平坦化方法，其特征在于，所述离子的注入剂量为1E13～1E16atom/cm2。
7.根据权利要求1所述的金属前介质层的平坦化方法，其特征在于，所述PMD的组分为SiO2。
8.根据权利要求7所述的金属前介质层的平坦化方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用的化学腐蚀液为氢氟酸与氟化铵的混合液，或者为稀释氢氟酸溶液。
9.根据权利要求7所述的金属前介质层的平坦化方法，其特征在于，所述SiO2的形成采用化学气相沉积或旋涂工艺形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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