[发明专利]红外接收电路输入结构无效
申请号: | 201010587951.5 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102571193A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 徐栋;徐玉婷;沈天平;彭云武;徐敏;王秀英 | 申请(专利权)人: | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
主分类号: | H04B10/06 | 分类号: | H04B10/06;H04B10/10 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 214061*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 接收 电路 输入 结构 | ||
1.一种红外接收电路输入结构,包括光敏二极管、一个或多个分压电路,其特征在于,所述分压电路包括:控制电路、开关电路和电阻网络;所述控制电路与所述开关电路连接,控制所述开关电路的开关状态,所述开关电路与所述电阻网络并联,所述控制电路与所述电阻网络分别接入红外接收电路,形成反馈回路。
2.根据权利要求1所述的红外接收电路输入结构,其特征在于,所述控制电路与所述红外接收电路中的光敏二极管的阴极相连。
3.根据权利要求2所述的红外接收电路输入结构,其特征在于,所述开关电路包括MOS晶体管。
4.根据权利要求3所述的红外接收电路输入结构,其特征在于,所述控制电路包括比较器,所述比较器的反相输入端接控制电压,同相输入端接反馈电压。
5.根据权利要求3所述的红外接收电路输入结构,其特征在于,所述控制电路包括比较器,所述比较器的反相输入端接反馈电压,同相输入端接控制电压。
6.根据权利要求4所述的红外接收电路输入结构,其特征在于,所述MOS晶体管为PMOS管,所述控制电路的输出端与所述PMOS管的栅极相连。
7.根据权利要求5所述的红外接收电路输入结构,其特征在于,所述MOS晶体管为NMOS管,所述控制电路的输出端与所述NMOS管的栅极相连。
8.根据权利要求1-7任一项所述的红外接收电路输入结构,其特征在于,所述分压电路为多个时,其电阻网络串联连接。
9.根据权利要求8所述的红外接收电路输入结构,其特征在于,所述电阻网络包括一个或多个阻抗器件。
10.根据权利要求9所述的红外接收电路输入结构,其特征在于,所述阻抗器件为无源电阻器件或MOS晶体管组成的有源电阻器件。
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