[发明专利]平板显示设备及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用 

本申请要求2009年12月1日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2009-0117878的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。 

本申请涉及题目为“平板显示设备及其制造方法”的美国专利申请(代理人案号：SMDSHN.157AUS)，其与本申请同时递交并且通过引用整体合并于此。 

技术领域

本技术所公开的实施例涉及平板显示设备及其制造方法，更详细地说，涉及具有提高的显示面板的光透射率的平板显示设备及制造该平板显示设备的方法。

背景技术

平板显示设备的种类包括利用液晶的光电特性的液晶显示设备和利用有机发光二极管的自发射特性的有机发光显示设备。平板显示设备被分成无源矩阵类型和有源矩阵类型。包括薄膜晶体管的有源矩阵类型具有很高的分辨率和很好的视频实现能力，并且比无源矩阵类型使用得更加广泛。

发明内容

一方面是一种具有提高的显示面板的光透射率的平板显示设备以及制造该平板显示设备的方法。

另一方面是一种平板显示设备，其包括：第一基板；形成在所述第一基板上并且包括源区、漏区和沟道区的有源层；栅极绝缘层，其形成在包括所述有源层的所述第一基板上；栅电极，其形成在所述沟道区上方的所述栅极 绝缘层上；第一层间绝缘膜，其形成在包括所述栅电极的所述栅极绝缘层上；源电极和漏电极，其通过形成在所述第一层间绝缘膜和所述栅极绝缘层中的接触孔与所述源区和漏区中的所述有源层连接；第二层间绝缘膜，其插入所述第一层间绝缘膜与所述源电极和所述漏电极之间；平坦层，其形成在包括所述源电极和所述漏电极的所述第一层间绝缘膜上；以及像素电极，其通过形成在所述平坦层中的通孔与所述源电极或所述漏电极连接。

另一方面是制造平板显示设备的方法，其包括：在第一基板上形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在包括所述有源层的所述第一基板上形成栅极绝缘层；在所述沟道区上方的所述栅极绝缘层上形成栅电极；在包括所述栅电极的所述栅极绝缘层上形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜上形成具有比所述第一层间绝缘膜小的厚度的第二层间绝缘膜；执行热处理；通过对所述第二层间绝缘膜、所述第一层间绝缘膜和所述栅极绝缘层进行图案化来在所述源区和漏区中暴露所述有源层；在所述第二层间绝缘膜上形成与所述源区和漏区中的所述有源层连接的源电极和漏电极；将暴露部分中的第二层间绝缘膜去除；在包括所述源电极和所述漏电极的所述第一层间绝缘膜上形成平坦层；通过对所述平坦层进行图案化来暴露所述源电极或所述漏电极；并且在所述平坦层上形成与所述源电极或所述漏电极连接的像素电极。

层间绝缘膜形成在源电极和漏电极与栅电极之间以最小化包括薄膜晶体管的平板显示设备中的信号干扰。然而，因为层间绝缘膜包括具有低的光透射率的氮化硅膜，所以它使显示面板的光透射率劣化。

在一个实施例中，可以通过在形成源电极和漏电极的过程中不使用特定掩膜的情况下形成氧化硅膜和氮化硅膜的层间绝缘膜，并且将光透射区域中的氮化硅膜去除来提高显示面板的光透射率。

进一步，在本发明的一个实施例中，通过使所述氮化硅膜比所述氧化硅膜薄，即使在形成层间绝缘膜之后执行热处理也不会使氮化硅膜破裂。而且，可以通过扩散氮化硅膜中包含的氢来改善有源层的电特性。

另一方面是一种平板显示设备，包括：第一基板；形成在所述第一基板 上方的有源层，其中所述有源层包括源区、漏区和沟道区；形成在所述有源层上的栅极绝缘层；栅电极，形成在所述栅极绝缘层上并且在所述有源层的沟道区上方；第一层间绝缘膜，形成在所述栅极绝缘层和所述栅电极上；源电极和漏电极，通过接触孔分别电连接至所述有源层的源区和漏区，其中所述接触孔形成在所述第一层间绝缘膜和所述栅极绝缘层中；第二层间绝缘膜，基本上仅插入i)所述第一层间绝缘膜与ii)所述源电极和所述漏电极之间；平坦层，形成在所述第一层间绝缘膜以及所述源电极和所述漏电极上；以及像素电极，通过形成在所述平坦层中的通孔电连接至所述源电极或所述漏电极。

上述设备进一步包括：第二基板，被布置为面对所述第一基板；公共电极，形成在所述第二基板上并且在所述像素电极上方；以及液晶层，插入所述第一基板与所述第二基板之间。上述设备进一步包括：像素限定层，形成在所述像素电极的第一部分和所述平坦层上；有机发光层，形成在所述像素电极的第二部分和所述像素限定层的部分上，其中所述像素电极的第一部分和第二部分彼此不重叠；以及阴电极，形成在所述有机发光层和所述像素限定层上。