[发明专利]垂直发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直发光二极管，包括：

具有多个贯穿的通孔的基板，

在所述基板上形成的多个半导体层，

在所述多个半导体层上形成的第一电极，以及

第二电极，其形成为填充所述多个通孔，由此接触所述多个半导体层的一部分。

2.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，还包括在所述基板的上表面上形成的第一缓冲层。

3.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中所述多个半导体层包括第二缓冲层、在所述第二缓冲层上形成的第一半导体层、在所述第一半导体层上形成的有源层以及在所述有源层上形成的第二半导体层。

4.根据权利要求3所述的垂直发光二极管，其中所述第二缓冲层由无掺杂的氮化物半导体制成，所述第一半导体层由n型氮化物半导体制成，所述第二半导体层由p型氮化物半导体制成，并且所述有源层具有多量子阱结构。

5.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，还包括在所述第一电极上形成的保护膜。

6.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中在所述基板的上表面中形成所述多个通孔，使得所述通孔彼此隔开30～100μm。

7.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中所述多个通孔具有30～70μm的直径和150～250μm的深度。

8.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中在所述基板的上表面中形成所述多个通孔，使得所述通孔彼此隔开所述垂直发光二极管的工作波长的64～215倍。

9.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中所述多个通孔的直径是所述垂直发光二极管的工作波长的64～151倍，并且所述多个通孔的深度是所述垂直发光二极管的工作波长的321～537倍。

10.根据权利要求3所述的垂直发光二极管，其中所述第二缓冲层具有多个通孔。

11.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中所述第一电极是使用透明导电材料形成的。

12.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中所述第一电极由ZnO或者ITO形成。

13.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中所述基板由Al2O3或者SiC制成。

14.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中所述第二电极包括Ti、Al、Ni、Au、Cr、Pt、V、In、Sn、和Ag中的一种或多种。

15.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，还包括形成为接触所述第一电极的第一电极焊盘，和形成为接触所述第二电极的第二电极焊盘。

16.根据权利要求15所述的垂直发光二极管，其中所述第一电极焊盘包括Ni、Au、Pt、Ti或者Al。

17.根据权利要求15所述的垂直发光二极管，其中所述第二电极焊盘由反射金属形成。

18.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中所述多个通孔具有圆形、多边形、椭圆形和平行四边形横截面中的一种。

19.根据权利要求1所述的垂直发光二极管，其中所述多个通孔具有圆柱形、圆锥形、倒圆锥形和金字塔形的形状中的一种。

20.一种制造垂直发光二极管的方法，包括：

在基板中形成多个通孔，

在所述基板上形成多个半导体层，

在所述多个半导体层上形成第一电极和第一电极焊盘，以及

在所述多个通孔中形成第二电极，以接触经由所述多个通孔暴露出的所述多个半导体层的一部分。

21.根据权利要求20所述的方法，还包括使用反射金属形成第二电极焊盘，以接触所述第二电极。

22.根据权利要求20所述的方法，其中在所述基板的上表面中形成所述

多个通孔，使得所述通孔彼此隔开30～100μm。

23.根据权利要求20所述的方法，其中所述多个通孔具有30～70μm的直径和150～250μm的深度。

24.根据权利要求20所述的方法，还包括在其中已经形成所述多个通孔的所述基板上，形成第一缓冲层。