[发明专利]掺杂ⅡA族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法

权利要求书

1.稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物发光材料，其特征在于：化合物分子式可表示为(D_2xD′_2y)ARE_2(1-x-y-z)RE′_2zO₄、(D_4xD′_4y)A₃RE_4(1-x-y-z)RE′_4zO₉、(D_2xD′_2y)A₄RE_2(1-x-y-z)RE′_2zO₇，其中：D和D′代表稀土Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb和Bi、Ti、Cr元素，A代表IIA族元素Be、Mg、Ca、Sr、Ba，RE、RE′代表稀土元素Sc、Y、La、Gd、Lu，RE≠RE′，x、y和z的取值范围为：0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，且x+y+z＜1。

2.如权利要求1所述的掺杂IIA族稀土氧化物的熔体法晶体生长方法，其特征在于：

(1)(D_xD′_y)ARE_2-x-y-zRE′_zO₄晶体生长原料的配料：

A、当D、D′均不为Ce或Ti时，且A≠Be时，采用ACO₃、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

B、当D、D′均不为Ce或Ti时，采用AO、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

C、当D＝Ce、D′≠Ce时，以及D＝Ti、D′≠Ti时时，且A≠Be时，采用ACO₃、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

D、当D＝Ce、D′≠Ce时，以及D＝Ti、D′≠Ti时时，采用AO、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

(2)(D_4xD′_4y)A₃RE_4(1-x-y-z)RE′_4zO₉晶体生长原料的配料：

A、当D、D′均不为Ce或Ti时，且A≠Be时，采用ACO₃、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

B、当D、D′均不为Ce或Ti时，采用AO、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

C、当D＝Ce、D′≠Ce时，以及D＝Ti、D′≠Ti时时，且A≠Be时，采用ACO₃、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

D、当D＝Ce、D′≠Ce时，以及D＝Ti、D′≠Ti时时，采用AO、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

(3)(D_2xD′_2y)A₄RE_2(1-x-y-z)RE′_2zO₇晶体生长原料的配料：

A、当D、D′均不为Ce或Ti时，且A≠Be时，采用ACO₃、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

B、当D、D′均不为Ce或Ti时，采用AO、D₂O₃、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

C、当D＝Ce、D′≠Ce时，以及D＝Ti、D′≠Ti时时，且A≠Be时，采用ACO₃、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

D、当D＝Ce、D′≠Ce时，以及D＝Ti、D′≠Ti时时，采用AO、DO₂、D′₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

(4)熔体法晶体生长中存在杂质分凝效应，生长出的晶体成分和配料成分会有差别，但各组分的剂量在所述的化合物分子式指明的范围之内；

(5)原料的压制和烧结，获得晶体生长初始原料：需要对(1)-(3)中配好的原料进行压制和烧结，压制成形；烧结温度在750～1700℃之间，烧结时间为10～72小时；或者压制成形后的原料不经额外烧结而直接用作生长晶体原料；

(6)把晶体生长初始原料放入生长坩埚内，通过加热并充分熔化，获得晶体生长初始熔体；然后采用熔体法晶体生长工艺——提拉法、坩埚下降法、温梯法或者其它熔体法晶体生长方法进行生长。