[发明专利]一种掺杂高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料无效
| 申请号： | 201010588815.8 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102557630A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 颜欢 | 申请（专利权）人： | 颜欢 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;H01G4/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省吴江市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 高介低 损耗 ba ti sub zr 高压 电容器 陶瓷材料 | ||
【说明书】：
技术领域
本发明涉及一种电容器材料，尤其是一种掺杂高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料。
背景技术
目前广泛生产使用的超稳定型高压陶瓷电容器材料中，不能满足在振荡回路里补偿正温度系数的要求。
且同时一般配方的超稳定型陶瓷电容器材料的介电常数较小，不能满足电子线路小型化的需求，且损耗值过大。
发明内容
本发明提供了一种掺杂高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料。
技术方案如下：
一种掺杂高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料
主要原料：BaTiO3、BaZrO3、CaZrO3、MgTiO3等
主要掺杂原料：Nb2O5、ZnO、CeO2、MnO2、Yb2O3等
主要特征：介电常数14000介质损耗tanδ≤0.002耐压强度Eb≥10Kv/mm、温度特性为Y5V。
具体实施方式
一种掺杂高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料
主要原料：BaTiO3、BaZrO3、CaZrO3、MgTiO3等
主要掺杂原料：Nb2O5、ZnO、CeO2、MnO2、Yb2O3等
主要特征：介电常数14000介质损耗tanδ≤0.002耐压强度Eb≥10Kv/mm、温度特性为Y5V。
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