[发明专利]AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法有效

申请号：	201010589028.5	申请日：	2010-12-15
公开（公告）号：	CN102542077A	公开（公告）日：	2012-07-04
发明（设计）人：	刘新宇;蒲颜;庞磊;袁婷婷;罗卫军;陈晓娟	申请（专利权）人：	中国科学院微电子研究所
主分类号：	G06F17/50	分类号：	G06F17/50
代理公司：	北京市德权律师事务所 11302	代理人：	王建国
地址：	100029 北京市***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	algan gan hemt 信号模型参数提取方法
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【权利要求书】：

1.一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法，其特征在于，所述参数提取方法包括：

步骤10：测量外围开路去嵌电路的散射参数S，并将其变换得到导纳参数Y，从而计算出外围寄生电容C_pg、C_pd和C_pgd的数值，所述外围开路去嵌电路包括外围寄生电容C_pg、C_pd和C_pgd，所述外围寄生电容C_pgd串联C_pg和C_pd之间；

步骤20：在V_gs＞0，V_ds＝0V的偏置状态下，选择两组AlGaN/GaN HEMT器件的栅电压值分别为V_gs1和V_gs2，测试得到两组分别与两组栅电压值对应的且小于10mA的电流值I_gs1和I_gs2，再测量栅电压值分别为V_gs1和V_gs2时的S参数，并将其变换得到阻抗参数Z，再计算得到串联寄生电阻和串联寄生电感的数值；

步骤30：测量AlGaN/GaN HEMT器件在偏置状态下的S参数，去除步骤10中计算出的外围寄生电容C_pg、C_pd和C_pgd和步骤20得到的串联寄生电阻R_g、R_d、R_s和串联寄生电感L_g、L_d、L_s，得到内部参数的本征S参数，并将其变换得到Y参数，再计算得到偏置状态下的内部本征参数栅电容C_gs、C_gd，跨导g_m及其延迟因子τ_m，源漏电导g_ds及其漏端延迟因子τ_ds，漏源电容C_ds和栅源沟道电阻R_i的数值。