[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

具有电介质窗的处理容器，

配置在所述电介质窗之外的线圈状RF天线，

在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部，

为了对所述基板实施期望的等离子体处理，而将期望的处理气体供给至所述处理容器内的处理气体供给部，

为了在所述处理容器内通过感应耦合而产生处理气体的等离子体，将适合处理气体高频放电的频率的高频电力供给至所述RF天线的高频供电部，

为了控制所述处理容器内的所述基板上的等离子体密度分布，在能够通过电磁感应与所述RF天线耦合的位置、在所述处理容器之外配置的补正线圈，

设置在所述补正线圈的环内的开关元件，和

以期望的占空比，通过脉冲宽度调制对所述开关元件进行ON/OFF控制的开关控制部。

2.一种等离子体处理装置，包括：

具有电介质窗的处理容器，

配置在所述电介质窗之外的线圈状RF天线，

在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部，

为了对所述基板实施期望的等离子体处理，将期望的处理气体供给至所述处理容器内的处理气体供给部，

为了在所述处理容器内通过感应耦合而产生处理气体的等离子体，将适合处理气体高频放电的频率的高频电力供给至所述RF天线的高频供电部，

为了控制所述处理容器内的所述基板上的等离子体密度分布，在能够通过电磁感应而与所述RF天线耦合的位置、在所述处理容器之外配置的补正线圈，

设置在所述补正线圈的环内的可变电阻，和

将所述可变电阻的电阻值控制为期望值的电阻控制部。

3.一种等离子体处理装置，包括：

具有电介质窗的处理容器，

配置在所述电介质窗之外的RF天线，

在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部，

为了对所述基板实施期望的等离子体处理，将期望的处理气体供给至所述处理容器内的处理气体供给部，

为了在所述处理容器内通过感应耦合而产生处理气体的等离子体，将适合处理气体高频放电的频率的高频电力供给至所述RF天线的高频供电部，

为了控制所述处理容器内的所述基板上的等离子体密度分布，在能够通过电磁感应而与所述RF天线耦合的位置上、在所述处理容器之外配置的补正线圈，和

设置在所述补正线圈的环内的开关器。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗构成所述处理容器的顶部，

所述RF天线配置在所述电介质窗之上，

所述补正线圈配置为与所述RF天线平行。

5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述补正线圈由两端闭合的单匝线圈或多匝线圈构成，相对于所述RF天线同轴地配置，具有在径向上使线圈导体位于所述RF天线的内周和外周之间的线圈直径。

6.一种等离子体处理装置，包括：

具有电介质窗的能够真空排气的处理容器，

配置在所述电介质窗之外的RF天线，

在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部，

为了对所述基板实施期望的等离子体处理，将期望的处理气体供给至所述处理容器内的处理气体供给部，

为了在所述处理容器内通过感应耦合而产生处理气体的等离子体，将适合处理气体高频放电的频率的高频电力供给至所述RF天线的高频供电部，

为了控制所述处理容器内的所述基板上的等离子体密度分布，在能够通过电磁感应而与所述RF天线耦合的位置、在所述处理容器之外配置的第一和第二补正线圈，和

分别设置在所述第一和第二补正线圈的环内的第一和第二开关器。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗构成所述处理容器的顶部，

所述RF天线配置在所述电介质窗之上，

所述第一和第二补正线圈配置为与所述RF天线平行。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一和第二补正线圈配置为同心状。

9.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一和第二补正线圈在不同的高度位置上同轴地配置。