[发明专利]具有宽广相变化元素与小面积电极接点的存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

底部电极；

存储元素，其位于所述底部电极之上；以及

包括主体部分与作用部的顶部电极，其中所述顶部电极的所述作用部的基底，与所述存储元素的表面的一小区域电接触，其中所述顶部电极还包括内衬及由所述内衬包围的核心，所述内衬自所述作用部两侧垂直向上延伸而包围所述核心。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述存储元件包括至少具有两种以上固态相的存储器材料。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述至少两种以上固态相的存储器材料，可利用施加穿越所述顶部电极与底部电极的电压，可逆地改变相态。

4.如权利要求2所述的装置，其中所述至少两种以上固态相的存储器材料，包括通常的非晶相与通常的结晶相。

5.如权利要求2所述的装置，其中所述至少具有两种以上固态相的所述存储器材料，包括合金，所述合金的材料包括Ge、Sb、Te组成的组合。

6.如权利要求2所述的装置，其中所述至少具有两种以上固态相的存储器材料，包括合金，所述合金的材料包括由两种或以上Ge、Sb、Te、Se、In、Ti、Ga、Bi、Sn、Cu、Pd、Pb、Ag、S与Au等元素组成的组合。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述电接触的所述小区域具有约为10nm至100nm的宽度范围。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述电接触的所述小区域具有约为20nm至50nm的宽度范围。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述电接触的所述小区域具有约为30nm的宽度。

10.如权利要求1所述的装置，其中所述顶部电极材料包括Ta、TaN、TiAIN、TaAIN等材料之一。

11.如权利要求1所述的装置，其中所述顶部电极材料包括Ti、W、Mo、Al、Ta、Cu、Pt、Ir、La、Ni与Ru等材料之一，或上述材料合金之一。

12.如权利要求1所述的装置，其中所述顶部电极材料包括陶瓷。

13.如权利要求1所述的装置，其中所述内衬包括从氮化钽、氮化钛与氮化钨所选择的合金。

14.如权利要求1所述的装置，其中所述核心包括从W、Cu、Pt、Ru、Ir与其合金所选择的材料。