[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体压力传感器，其特征在于，具有：

衬底，具有贯通孔；

多晶硅膜，形成在所述衬底上，并且在所述贯通孔的上方具有膜片；

绝缘膜，形成在所述多晶硅膜上；

第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻，形成在所述绝缘膜上，并且具有压电电阻效应；以及

多晶硅布线，将所述第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻连接成电桥状，

所述第一以及第二多晶硅应变计电阻配置在所述膜片的中央部，并分别具有并联连接的多个电阻，并且，结构以及朝向相同。

2.如权利要求1所述的半导体压力传感器，其特征在于，

所述第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻比所述多晶硅布线薄。

3.如权利要求1或2所述的半导体压力传感器，其特征在于，

所述第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻的杂质浓度比所述多晶硅布线的杂质浓度低。

4.如权利要求1所述的半导体压力传感器，其特征在于，

所述绝缘膜具有多个凸部，

所述第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻是在所述多个凸部的侧壁形成的侧墙。

5.如权利要求1所述的半导体压力传感器，其特征在于，

所述绝缘膜具有多个凹部，

所述第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻填埋到所述多个凹部内。

6.如权利要求1、2、4、5中任一项所述的半导体压力传感器，其特征在于，

所述第三以及第四多晶硅应变计电阻配置在所述膜片的外周部，并且，结构以及朝向与所述第一以及第二多晶硅应变计电阻的结构以及朝向相同。

7.如权利要求1、2、4、5中任一项所述的半导体压力传感器，其特征在于，

所述第三以及第四多晶硅应变计电阻配置在所述膜片的外侧。

8.如权利要求1、2、4、5中任一项所述的半导体压力传感器，其特征在于，

还具有形成在所述绝缘膜上并且与所述多晶硅布线连接的焊盘，

配置有所述焊盘的区域的所述多晶硅膜和形成有所述膜片的区域的所述多晶硅膜被隔离槽隔离。

9.如权利要求1、2、4、5中任一项所述的半导体压力传感器，其特征在于，

在所述贯通孔的外侧附近，在所述衬底和所述多晶硅膜之间形成有间隙，

在所述间隙中，在所述多晶硅膜的下表面形成有凸部。

10.一种半导体压力传感器的制造方法，其特征在于，具有：

在衬底上形成第一绝缘膜，在所述第一绝缘膜上形成第一开口以及配置在所述第一开口的周围的第二开口的工序；

以填埋所述第一开口以及所述第二开口的方式，在所述衬底以及所述第一绝缘膜上形成第一多晶硅膜，在所述第一开口和所述第二开口之间的区域，在所述第一多晶硅膜上形成第三开口的工序；

以填埋所述第三开口的方式，在所述第一绝缘膜以及所述第一多晶硅膜上形成第二绝缘膜，在所述第二开口的上方，在所述第二绝缘膜上形成第四开口的工序；

以填埋所述第四开口的方式，在所述第一多晶硅膜以及所述第二绝缘膜上形成第二多晶硅膜的工序；

在所述第二多晶硅膜上形成第三绝缘膜的工序；

在所述第三绝缘膜上形成具有压电电阻效应的第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻和将所述第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻连接成电桥状的多晶硅布线的工序；

从下表面侧对所述衬底进行蚀刻，形成到达在所述第一开口中所填埋的所述第一多晶硅膜的贯通孔的工序；

在形成所述贯通孔后，相对于所述第一绝缘膜以及所述第二绝缘膜有选择地蚀刻除去在所述第一开口中填埋的所述第一多晶硅膜的工序；以及

除去在所述第一开口中填埋的所述第一多晶硅膜之后，相对于所述第一多晶硅膜以及所述第二多晶硅膜有选择地蚀刻除去配置在所述第二开口以及所述第四开口的内侧的所述第一绝缘膜以及所述第二绝缘膜的工序，

所述第二多晶硅膜在所述贯通孔的上方具有膜片，

所述第一以及第二多晶硅应变计电阻配置在所述膜片的中央部，并分别具有并联连接的多个电阻，并且，结构以及朝向相同。