[发明专利]多晶单片铝酸镁尖晶石有效
申请号: | 201010590520.4 | 申请日: | 2008-08-27 |
公开(公告)号: | CN102011183A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | J·S·戈尔拉;H·A·G·斯特恩 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | C30B28/14 | 分类号: | C30B28/14;C30B29/22 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 单片 铝酸镁 尖晶石 | ||
1.一种组合物,所述组合物由晶粒尺寸为70微米或更小且厚度至少为0.5mm的多晶单片铝酸镁组成。
2.一种方法,所述方法包括:
a)提供多晶单片铝酸镁的气态前体;
b)使气态前体反应;和
c)在衬底上沉积多晶单片铝酸镁,沉积速率为0.5-5微米/分钟。
3.一种制品,所述制品包括晶粒尺寸为70微米或更小且厚度至少为0.5mm的多晶单片铝酸镁。
4.一种制品,所述制品包括一个或多个导电且选择性钝化的图案,每个图案包括一个或多个金属层,每个图案结合到晶粒尺寸为70微米或更小且厚度至少为0.5mm的多晶单片铝酸镁层,并位于晶粒尺寸为70微米或更小且厚度至少为0.5mm的多晶单片铝酸镁层之间。
5.根据权利要求4的方法,其特征在于,导电且选择性钝化的图案包括一层或多层金属层。
6.根据权利要求5的方法,其特征在于,通过CVD,PVD,CCVD,CACCVD或电解沉积在所述图案上沉积一层或多层金属层或者金属合金层。
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